2011 Fiscal Year Annual Research Report
1次元Si(110)表面構造を利用したナノドット規則配列構造の創製とストレス制御
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20310064
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| Research Institution | Japan Atomic Energy Agency |
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Principal Investigator |
朝岡 秀人 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (40370340)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
山田 洋一 筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 助教 (20435598)
山崎 竜也 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究員 (30465992)
社本 真一 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 量子ビーム応用研究部門, 研究主席 (90235698)
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| Keywords | 結晶成長 / 表面・界面物性 / ナノ材料 |
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| Research Abstract |
1次元構造を有するSi(110)表面をテンプレートとしたナノドット・ナノワイヤーの配列構造作成と共に、成長カイネティクス、ストレス生成機構の解明を通して、高精度に制御したナノ構造作成技術の指針を得ることを目的とする。本申請課題の開始以来、Si(110)テンプレートの作成のため、表面エレクトロマイグレーション効果による直流加熱電流・電圧の方向依存性、加熱温度の最適化を行い、mmオーダーに及ぶ広範囲な表面領域の一次元性を実現し、表面カイラリティを見出した。また、ストレス測定用の通電式基板加熱機構を開発し、ストレス測定と,RHEED測定との複合解析装置の開発を行った。さらに1次元構造を有するSi(110)表面上にフラーレンを蒸着し、アニール温度変化にともなう拡散、吸着位置を解析した。最終年度においては、これまでに得られた知見を活用し、Si(110)に加えGe(110)の1次元テンプレート作成を実現し、フラーレンが両基板表面の16×2構造内のステップエッジ部分に存在する結合サイトに規則配列することを見出した。
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