2010 Fiscal Year Self-evaluation Report
Fabrication of ordered array structure using strained one-dimensional structure of Si(110)
| Project/Area Number |
20310064
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Nanomaterials/Nanobioscience
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| Research Institution | Japan Atomic Energy Agency |
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Principal Investigator |
ASAOKA Hidehito Japan Atomic Energy Agency, 量子ビーム応用研究部門, 研究主幹 (40370340)
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| Project Period (FY) |
2008 – 2011
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| Keywords | ナノ構造形成 / 制御 |
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| Research Abstract |
半導体デバイス開発の現場では、低次元系量子構造を実現する自己組織化と、そのヘテロ接合に起因するストレスの制御技術の確立が、特性向上のためのボトルネックになっている。研究申請者らは、表面再構成構造がダブルドメイン化していたSi(110)面に対して、直流加熱電流の方向に依存する表面エレクトロマイグレーション効果を活用し、1次元構造を有するSi(110)表面が形成されることを見出した。このSi(110)面をテンプレートとしてナノドット・ナノワイヤーの配列構造を実現するとともに、ナノ構造の成長カイネティクスを解明することによりストレスの制御プロセスを確立し、高精度に制御された新規量子デバイス創成への指針を得ることを目的とする。
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