2010 Fiscal Year Self-evaluation Report
Controlling electronic properties by surface acoustic waves in semiconductor quantum structures
Project/Area Number |
20360038
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Single-year Grants |
Section | 一般 |
Research Field |
Applied physics, general
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Research Institution | Hokkaido University |
Principal Investigator |
MATSUDA Osamu Hokkaido University, 大学院・工学研究院, 准教授 (30239024)
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Project Period (FY) |
2008 – 2011
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Keywords | 音 / 電子励起状態制御 |
Research Abstract |
本研究の目的は、超短光パルス照射によって半導体試料に励起された表面音響波を用いて、半導体試料中の励起子を自在に輸送し、またその励起子の寿命を制御する手法を開発・発展させることである。半導体量子井戸層を表面近傍に持つ試料における表面音響波は、量子井戸層の伝導帯および価電子帯エネルギー準位を変調し、光励起された励起子を面内方向に閉じ込め輸送する動的なポテンシャル井戸を形成する。変調された伝導帯・価電子帯ポテンシャルの山同士・谷同士が同じ位置にできる場合は、励起子を構成する電子と正孔が空間的に分離され励起子の寿命が著しく増大する。何らかの方法でこの動的ポテンシャル井戸を消滅させることにより、励起子を再結合させることができる。 このような動的ポテンシャル井戸による励起子輸送の研究はこれまで主として電気的に発生された表面波を用いて進められてきた。これに対して本研究では、表面音響波の生成をサブピコ秒程度の超短光パルスを試料に照射することによって行う。生成する表面音響波の典型的な波長は1~10μm程度である。表面音響波生成のための光あるいは別途照射された光によって生成された励起子を、音響波によって輸送する。その様子を発光および過渡的反射スペクトルの時間・空間分解イメージとして観測・解析する。
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Research Products
(6 results)