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2008 Fiscal Year Annual Research Report

低しきい値量子細線レーザーの作製とその発振特性の物理

Research Project

Project/Area Number 20360135
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

秋山 英文  The University of Tokyo, 物性研究所, 准教授 (40251491)

Keywords薄膜・量子構造 / 量子細線 / レーザー / MBE / へき開再成長
Research Abstract

本研究では、量子細線レーザーを用いて0.1mA程度以下の低しきい値をへき開再成長T型量子細線の利点を生かして実現し、低しきい値の量子井戸レーザーと比較し、そしてそれらのデバイスが示すレーザー発振特性と光学物性を計測し、量子細線レーザーの利点や性能が上記の最初の理論予測どおりなのかどうかを検証することを目的とする。
制御性が高くラフネスや界面損傷が極めて少ないへき開再成長丁型量子細線レーザーを用い、共振器端面への誘電体多層膜形成と注入構造や界面品質の改善などを行って、O.1mA程度以下の世界最低しきい値での量子細線のレーザー発振を目指した。
これまでの最低しきい値電流0.27mAは、p層とn層が平行に配置された20周期丁型量子細線レーザーにおいて30Kで得られたものである。この直接の改良としてp層とn層が平行に配置された単一丁型量子細線レーザー、また、別のアプローチとしてp層とn層が垂直に配置された15周期T型量子細線レーザーの結晶成長を行い、プロセスと、端面アズクリープでのデバイス評価を行った。利得の絶対値は小さいが0.1mA程度の低い透明電流が得られており、端面高反射コートにより低しきい値発振が可能と思われる。
さらに、バランスおよびインバランスの場合の電子系・正孔系・電子正孔系の利得特性を任意の濃度かつ温度で調べることを目指し、ハートリーフォック近似理論をもちいて利得特性・スペクトルの計算を詳細に行った。また、実験で、電流注入型のT型量子細線レーザーに対して立体的な光学励起配置を工夫して、光励起を併用できるようにした。そして、実際に、光励起により等濃度の電子正孔対を付加することで、様々な濃度の電子および正孔が注入された際の利得を計測した。H21年度にもこれらの研究を継続し進展させる。

  • Research Products

    (20 results)

All 2009 2008

All Journal Article (7 results) (of which Peer Reviewed: 7 results) Presentation (13 results)

  • [Journal Article] "Micro-photoluminescence excitation spectroscopy on asymmetric absorption line shapes of weakly localized excitons in a quantum well"2008

    • Author(s)
      Shun Maruyama
    • Journal Title

      Solid State Communications 147

      Pages: 114-117

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] "Carrier-Density-Dependent Increase and Suppression of Optical Gain in T-shaped Quantum-Wire Lasers"2008

    • Author(s)
      Masahiro Yoshita
    • Journal Title

      Physica Status Solidi (C) 5

      Pages: 2841-2843

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] "Optical detection of electron-depletion region surrounding metal electrodes on a dilute two-dimentional electron gas system"2008

    • Author(s)
      Toshiyuki Ihara
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      Pages: 4496-4498

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] "Optimization of Well Width and N Content for Optical Properties of GaNAs/GaAs Multiple Quantum Well Grown by RF-Molecular Beam Epitaxy"2008

    • Author(s)
      Kensuke Fujii
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      Pages: 2991-2993

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Measurements of Cavity-Length-Dependent Internal Differential Quantum Effciency and Internal Optical Loss in Laser Diodes"2008

    • Author(s)
      Satoshi Inada
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys 47

      Pages: 2288-2290

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] "Twin photoluminescence peaks from single isoelectronic traps in nitrogen δ-doped GaAs"2008

    • Author(s)
      Y. Endo
    • Journal Title

      Physica E 40

      Pages: 2110-2112

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] "Current injection T-shaped quantum wire lasers with perpendicular doping layers operating at 100K "2008

    • Author(s)
      Makoto Okano
    • Journal Title

      Physica E 40

      Pages: 1947-1949

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] GaInNAs1GaAs超格子の構造及び光学特性に与える成長条件と窒素供給法による効果2009

    • Author(s)
      平島知彦
    • Organizer
      2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-31
  • [Presentation] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光(II)2009

    • Author(s)
      福島俊之
    • Organizer
      2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-31
  • [Presentation] 窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光(III)2009

    • Author(s)
      伊藤正俊
    • Organizer
      2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-31
  • [Presentation] GaNAs系超格子の時間分解光ルミネセンス2009

    • Author(s)
      橘高明信
    • Organizer
      日本物理学会第64回年次大会
    • Place of Presentation
      立教学院池袋キャンパス
    • Year and Date
      2009-03-30
  • [Presentation] パルスレーザー堆積法によるRVO4: Eu (R=La, Y) 蛍光体薄膜の作製2009

    • Author(s)
      樋口卓也
    • Organizer
      2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • Place of Presentation
      筑波大学
    • Year and Date
      2009-03-30
  • [Presentation] InGaAsP系量子井戸レーザーにおける利得吸収スペクトルの温度依存性評価2009

    • Author(s)
      稲田智志
    • Organizer
      日本物理学会第64回年次大会
    • Place of Presentation
      立教学院池袋キャンパス
    • Year and Date
      2009-03-27
  • [Presentation] 異なるドープ構造を有した電流注入丁型量子細線における発光特性の比較2009

    • Author(s)
      岡野真人
    • Organizer
      日本物理学会第64回年次大会
    • Place of Presentation
      立教学院池袋キャンパス
    • Year and Date
      2009-03-27
  • [Presentation] 半導体量子細線レーザーの利得スペクトルにおけるクーロン増強および抑制効果2008

    • Author(s)
      吉田正裕
    • Organizer
      日本物理学会2008年秋季大会
    • Place of Presentation
      岩手大学上田キャンパス
    • Year and Date
      2008-09-20
  • [Presentation] ハートリーフォソク近似計算を用いた中性及び非中性電子-正孔系における光学利得の解析2008

    • Author(s)
      岡野真人
    • Organizer
      日本物理学会2008年秋季大会
    • Place of Presentation
      岩手大学上田キャンパス
    • Year and Date
      2008-09-20
  • [Presentation] 量子井戸の界面ラフネスによる励起子の弱局在と発光励起スペクトルピークの非対称形状2008

    • Author(s)
      丸山俊
    • Organizer
      日本物理学会2008年秋季大会
    • Place of Presentation
      岩手大学上田キャンパス
    • Year and Date
      2008-09-20
  • [Presentation] ドープ量子井戸におけるKennard-Stepanov関係式2008

    • Author(s)
      井原章之
    • Organizer
      日本物理学会2008年秋季大会
    • Place of Presentation
      岩手大学上田キャンパス
    • Year and Date
      2008-09-20
  • [Presentation] 窒素をδドープしたGaP中の等電子トラップからの発光(II)2008

    • Author(s)
      伊藤正俊
    • Organizer
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学
    • Year and Date
      2008-09-04
  • [Presentation] 様々な面方位基板上に作製した窒素δドープGaAs中の等電子トラップからの発光2008

    • Author(s)
      福島俊之
    • Organizer
      2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学
    • Year and Date
      2008-09-04

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Published: 2010-06-11   Modified: 2016-04-21  

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