2010 Fiscal Year Annual Research Report
低しきい値量子細線レーザーの作製とその発振特性の物理
| Project/Area Number |
20360135
|
|---|
| Research Institution | The University of Tokyo |
|---|
Principal Investigator |
秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 准教授 (40251491)
|
|---|
| Keywords | 量子細線レーザー / 低しきい値 / 光励起 / 電流注入 / 定量計測 / 絶対感度 |
|---|
| Research Abstract |
本研究では、へき開再成長T型量子細線の利点を生かして量子細線レーザーの低しきい値発振を行い量子井戸レーザーと比較し、そしてそれらのデバイスが示すレーザー発振特性と光学物性・光学応答を定量計測し、量子細線レーザーの利点や性能が上記の最初の理論予測どおりなのかどうかを検証することを目的とした。
15-20周期の量子細線を活性層に用いた垂直配置p-n接合を有する電流注入量子細線レーザー、そのp型とn型を逆に配置した転置型電流注入量子細線レーザー、平行配置p-n接合を有する電流注入量子細線レーザーなど、各種のデバイスに対して、電流注入と光励起により非中性及び中性の電子正孔分布を形成し、利得スペクトルやピーク利得の定量評価を行った。光励起により半導体レーザー中にキャリア生成を行った場合は中性の電子正孔系が形成されるが、p-n接合から電流注入を行った場合には一般に非中性の電子正孔系が形成されるので、同一の量子細線LD試料に対して、光励起と電流注入により励起を行って非中性の効果を抽出し、それが低しきい値化に有効に寄与しうるかどうかを系統的に調べた。
単一量子細線電流注入レーザーに、誘電体多層膜による高反射コーティングを施し、究極の低しきい値レーザー発振を試みた。低透明電流を示すデータは得られたが、発振には至らなかった。
断面積の小さいナノ構造を活性層に用いた場合の、吸収や利得を定量的に効率よく評価するための手法が開発された。測定系の絶対感度校正のために、過去にルミノール化学発光やホタル生物発光などに用いるため開発した生物化学発光絶対光量計測装置の校正用ツールの改造・活用を行った。
|
-
-
[Journal Article] Effects of Mg doping on Optical and Electrical Properties of GaNAs Multiple Quantum Wells2011
Author(s)
Masahiro Shiraga, Yuko Nakai, Tomohiko Hirashima, Akinobu Kittaka, Mari Ebisu, Naoshi Takahashi, Takeshi Noda, Masato Ohmori, Hidefumi Akiyama, Noriaki Tsurumachi, Shunsuke Nakanishi, Hayato Miyagawa, Hiroshi Itoh, Shyun Koshiba
-
Journal Title
Phys.Status Solidi C
Volume: 8
Pages: 420-422
Peer Reviewed
-
[Journal Article] LaVO4 : Eu Phosphor films with enhanced Eu solubility2011
Author(s)
T.Higuchi, Y.Hotta, Y.Hikita, S.Maruyama, Y.Hayamizu, H.Akiyama, H.Wadati, D.G.Hawthorn, T.Z.Regier, R.I.R.Blyth, G.A.Sawatzky, H.Y.Hwang
-
Journal Title
Appl.Phys.Lett.
Volume: 98
Pages: 071902
Peer Reviewed
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[Presentation] GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価2011
Author(s)
高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之
Organizer
2011年春季第58回応用物理学関係連合講演会
Place of Presentation
神奈川工科大学
Year and Date
20110324-20110327
-
-
-
-
-
-
[Presentation] 窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価2010
Author(s)
高宮健吾, 遠藤雄太, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎3, 片山竜二, サノーピンサクンタム, 矢口裕之
Organizer
2010年秋季第71回応用物理学学術講演会
Place of Presentation
長崎大学文教キャンパス
Year and Date
20100914-20100917
-
[Presentation] 窒素δドープGaAs中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究2010
Author(s)
星野真也, 遠藤雄太, 福島俊之, 高宮健吾, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
Organizer
2010年秋季第71回応用物理学学術講演会
Place of Presentation
長崎大学文教キャンパス
Year and Date
20100914-20100917
-
[Presentation] 極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性2010
Author(s)
石川輝, 八木修平, 土方泰斗, 吉田貞史, 岡野真人, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 尾鍋研太郎, 片山竜二, 矢口裕之
Organizer
2010年秋季第71回応用物理学学術講演会
Place of Presentation
長崎大学文教キャンパス
Year and Date
20100914-20100917
-
-
-
