2010 Fiscal Year Annual Research Report
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20360139
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
近藤 正彦 大阪大学, 大学院・工学研究科, 教授 (90403170)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
江村 修一 大阪大学, 産業技術研究所, 助教 (90127192)
石川 史太郎 大阪大学, 大学院・工学研究科, 助教 (60456994)
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| Keywords | III-N-V化合物半導体 / 熱処理 / X線吸収微細構 / 原子配列 / GaInNAs / X線光電子分光 / 原子緩和 |
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| Research Abstract |
III-N-V化合物半導体の持つ結晶格子定数と光物性の大きな可変性は、低価格・高性能な光ファイバー通信次世代半導体デバイスの基盤材料としての大きな可能性を内在している。熱処理(アニール)はIII-N-V化合物半導体の光学特性改善に欠かせない技術として定着しているが、未だにその結晶に与える影響については未解明な部分が多い。本研究は、従来に報告の無い、Ga-K端近傍のX線吸収微細構造(XAFS)スペクトルを測定することで、アニールが原子配列に与える影響について考察することを軸に展開する。また、そのための測定手法を確立する。通常GaInNAsに代表されるIII-N-V半導体はGaAs基板上に成長される。そのため、Ga元素のXAFS測定では、試料層からの情報がGaAs基板の情報に埋もれてしまい、観測できない。そこで本研究では、特殊試料を準備することでGaAs基板の情報を含まないGaInNAsGa-K端のXAFS測定を試みた。
測定したGa-K端のXAFSスペクトルからは、Ga-N結合の情報を直接観測することはできなかった。しかし、アニールによりGa-As結合が増加する結果を得た。また、In-K端のXAFSスペクトルからは、アニールによりIn-As結合が減少する結果を得た。これらは補完する結果であり、実験結果の再現性も高かった。上記結果より、アニールにより、In-N結合が増加しGa-N結合が減少すると推論できる。これは、他者の実験結果と整合する。残念ながら、XAFS測定の結果から定量的にIn-N結合の増加割合を議論するには至らなかった。
アニールが原子配列に与える影響を違った角度から調べるために、X線光電子分光(XPS)の測定に着手した。来年度は、XPS法を中心にN周辺の原子緩和について調べる予定である。
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[Journal Article] Direct observation of N-(group V) bonding defects in dilute nitride semiconductors using hard x-ray photoelectron spectroscopy2011
Author(s)
F.Ishikawa, S.Fuyuno, K.Higashi, M.Kondow, M.Machida, H.Oji, J.-Y.Son, A.Trampert, K.Umeno, Y.Furukawa, A.Wakahara
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Journal Title
Applied Physics Letters
Volume: 98
Pages: "121915-1"-"121915-3"
Peer Reviewed
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