2010 Fiscal Year Self-evaluation Report
Research on 3D-integrated Circuit System of Silicon Single Electron, Quantum and CMOS Devices
| Project/Area Number |
20360152
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | Chuo University (2011-2012)
The University of Tokyo (2008-2010) |
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Principal Investigator |
TAKEUCHI Ken The University of Tokyo, 大学院・工学系研究科, 准教授 (80463892)
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| Project Period (FY) |
2008 – 2012
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| Keywords | メモリ / SSD / 3次元LSI / 電源 / 低消費電力 / フラッシュメモリ / 強誘電体 |
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| Research Abstract |
本研究の目的は、10nm以下のサイズで室温動作するシリコン単電子デバイス・量子デバイスとCMOSデバイスを3次元構造に集積化したナノ集積回路システムを可能にすることである。特に10nmサイズで256Gbitの大容量、100MByte/secの超高速な単電子メモリを可能にし、10年後の日本の半導体産業を牽引する基盤技術の構築を目的とする。
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