2010 Fiscal Year Annual Research Report
極微量フリーラジカル検出のためのマイクロESRセンサ
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20510116
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| Research Institution | Kanazawa University |
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Principal Investigator |
北川 章夫 金沢大学, 電子情報学系, 准教授 (10214785)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
八木谷 聡 金沢大学, 電子情報学系, 教授 (30251937)
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| Keywords | 先端機能デバイス / マイクロ・ナノデバイス / 電子デバイス・機器 / バイオ関連機器 |
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| Research Abstract |
1. マイクロESR(電子スピン共鳴)センサの課題と高性能化
CMOS 65nmテクノロジを利用して試作したマイクロESRセンサの評価結果に対する問題点について検討を行い、改良版のセンサ回路をCMOS 180nmテクノロジを利用して試作した。65nmテクノロジの試作費は、非常に高額になるため、性能の点で多少の不利を覚悟し、試作の低いCMOS 180nmテクノロジを利用することにした。
マイクロESRにより測定された、ラジカルのg値は、予想と異なっていた。この原因は、センサチップ表面の直流磁束密度が正確に測定できていないことが原因だと判明したので、磁気センサをチップ1内に組み込むことにした。これにより、正確な直流磁束密度の計測が可能となり、従来法でのESR測定結果と比較ができるようにならた。
2. マイクロESR(電子スピン共鳴)センサの高速化の検討
これまでの研究では、直流磁束密度を変数としてESR信号のスペクトラムを測定する方式を採用していたが、この測定法では時間がかかるため、寿命の短いラジカルを検出することができない。直流磁束密度の代わりに、周波数を変数としたESR信号スペクトラムを得るために、インパルス特性を高速フーリエ変換する手法について回路方式の検討を行った。この方式の回路の試作は、次の研究課題として継続させたい。
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[Journal Article] CoOx-RRAM Memory Cell Technologyusing Recess Structure for 128Kbits Memory Array2010
Author(s)
Suguru Kawabata, Mitsuru Nakura, Shinobu Yamazaki,Takahiro Shibuya, Yushi Inoue, Junya Onishi, Yoshiaki Tabuchi, Yukio Tamai Yoshifumi Yaoi, Kazuya Ishihara, Yoshiji Ohta, Hisashi Shima, Hiro Akinaga, Natsuki Fukuda, Hidenao Kurihara, Yoshiaki Yoshida, Yutaka Kokaze, Yutaka Nishioka, Koukou Suu, Kazuya Nakayama Akin Kitapawa_ Shipaan Ohnishi_ Nobuvoshi Awava
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Journal Title
Proc.of 2010 IEEE IMW(International Memory Workshop)
Volume: 2010
Pages: D.O.I.10.1109/IMW.2010.5488319
Peer Reviewed
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