2008 Fiscal Year Annual Research Report
新規な遷移金属ニトリド/イミド錯体の合成とその窒素原子転移反応の機構解明
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20550064
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| Research Institution | Okayama University |
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Principal Investigator |
鈴木 孝義 Okayama University, 大学院・自然科学研究科, 准教授 (80249953)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
高木 秀夫 名古屋大学, 物質科学国際研究センター, 准教授 (70242807)
小島 正明 岡山大学, 大学院・自然科学研究科, 教授 (20022725)
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| Keywords | 金属錯体化学 / 窒素原子転移反応 / ニトリド錯体 / 高原子価錯体 / 窒素原子挿入反応 / イミド錯体 |
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| Research Abstract |
アジド錯体の光反応および後続熱反応により生成する窒素原子挿入型イミド錯体と、種々の親電子剤および求核剤との反応性を検討した。どちらの生成物からも求核剤との反応により原料であったジチオカルバマト錯体が再生し、このことから錯体中の窒素原子が親電子剤として加えた有機分子または溶媒分子に転移したことが推測された。この事実は、本研究が目的としている新たな窒素原子転移反応の開拓に対して重要な礎である。また、原料錯体が高収率で回収されたことは、触媒的な反応の開拓という観点からも意義深い。
新たな反応活性錯体の開拓をめざした錯体の合成研究も多数行った。特に、上記した反応において窒素原子供給源であるアジド錯体を多数合成し、その分子構造と物性および反応性を系統的かっ詳細に調査した。さらに、このアジド錯体と有機ニトリル分子、もしくはニトリル配位子とアジ化物イオンの反応により生成するテトラゾラト配位子に注目し、新規多座配位子を含む錯体やテトラゾラト配位子が架橋配位した多核錯体などの合成研究を精力的に行った。ここでは、共存配位子効果によるテトラゾラトの架橋配位様式の制御に成功し、この発表論文は学会誌において高い評価を受けた(Cover Articleとして紹介された)。2-シアノエチル基を含むホスフィン配位子とアジ化物イオンの反応では、異種金属多核錯体の高効率合成の鍵物質と考えられるホスフィン-テトラゾラト型の新規配位子を含む錯体の単離および構造解析に成功した。また、8-キノリルホスフィンを共存配位子に用いた類似錯体においては、メタノールからヒドリド配位子が生成する珍しい現象を発見した。
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