2008 Fiscal Year Annual Research Report
GaNバルク単結晶へのZnO薄膜の全方位的エピタキシャル電析
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20550175
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| Research Institution | Gifu University |
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Principal Investigator |
吉田 司 Gifu University, 大学院・工学研究科, 准教授 (90273127)
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| Keywords | バルクGaN単結晶 / ZnO / 電析 / エピタキシャル成長 |
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| Research Abstract |
GaN(0001), GaN(1-100)およびGaN(11-20)バルク単結晶上での酸素還元反応に対するI-V曲線を測定し、70℃における標準反応速度定数(k^0)を求めた。k^0はGaN(0001)上で1.3×10^<-15>cm s^<-1>, GaN(1-100)で7.2×10^<-9> cm s^<-1>,およびGaN(11-20)で3.3×10^<-8> cm s^<-1>であったことから、酸素還元反応に対する活性は、GaN(11-20)>GaN(1-100) >> GaN(0001)であることがわかった。
各GaN電極上にZnOを析出し、そのSEM, XRD 2θ-θスキャンおよびZnO(10-12)に対するωスキャンを調べたところ、どの電極上でもZnOがエピタキシャル成長していることがわかり、バルクGaN単結晶基板上でのZnOヘテロエピタキシャル電析に成功した。ωスキャンにおいてZnOに帰属するピーク成分の半価幅を求めると、GaN(0001)上で1.04°,GaN(1-100)で0.712°,およびGaN(11-20)で0.852°であった。半価幅からZnOのエピタキシャル成長の度合いは、GaN(1-100)>GaN(11-20)> GaN(0001)の順で高いと考えられるが、これは酸素還元反応に対する活性の大小とは異なっていたことから、このレベルはその他基板自体のmosaic spreadや、GaNとZnOの格子ミスマッチの違いの影響もあると考えられる。今後GaN(10-11),(10-12), (10-13)上へのZnOの電析と併せて、ZnOのエピタキシーを決める因子を調べていく予定である。
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[Journal Article] Electeodeposition of Inorganic/Organic Hybrid Thin Films2008
Author(s)
Tsuksa Yoshida, Jingbo Zhang, Daisuke Komatsu, Seiichi Sawalani, Hideki Minoura, Thierry Pauporte, Daniel Lineot, Torsten Oekermann, Derek Schlettwain, Hirokazu Tada, Dieter Wohrle, Kazumasa Funabiki, Masaki Malsui, Hidetoshi Miura, Hisao Yanagi
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Journal Title
Advance Functional Materials 19
Pages: 17-43
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