2009 Fiscal Year Annual Research Report
ガラス上における歪み擬似単結晶SiGeの創製と薄膜トランジスタの高速化
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20560011
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
権丈 淳 Kyushu University, 大学院・システム情報科学研究院, テクニカルスタッフ (20037899)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐道 泰造 九州大学, 大学院・システム情報科学研究院, 准教授 (20274491)
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| Keywords | 電子デバイス・機器 / 集積回路 / ディスプレイ / シリコンゲルマニウム / 薄膜トランジスタ |
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| Research Abstract |
本研究では、ガラス上における歪み擬似単結晶SiGeの創製と薄膜トランジスタの高速化を目的として研究を推進する。本年度は第2年度として、非晶質SiGe薄膜/Al薄膜/ガラス基板の積層構造における層交換成長(AIC成長)法を用い、SiGe擬似単結晶を形成するプロセスを高度化した。
ガラス基板上にAl膜をスパッタリング法により堆積後、同一真空チャンバ中で酸素暴露(パラメータ:圧力、暴露時間)を行った。その後、非晶質SiGe膜(膜厚:100nm,Ge濃度:50～100%)を堆積し、熱処理(300～450℃)を行ってAl誘起固相成長を進行させた。SiGe成長層の粒径、配向性、歪み量を電子顕微鏡法、X線回折法、ラマン散乱分光法を用いて評価し、これらのデータをGe濃度及び酸素暴露時間(Al203膜厚)の関数として整理する事により、歪み緩和し、かつ方位が揃ったSiGe結晶(粒径:～30μm)をガラス上に形成するプロセス指針を明らかにした。以上の結果、Al誘起層交換成長法によるSiGeの方位制御が可能となった。
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