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2010 Fiscal Year Annual Research Report

限流機能付きパワー半導体デバイス型遮断器の仕様解析と試作研究

Research Project

Project/Area Number 20560266
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

横水 康伸  名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (50230652)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 松村 年郎  名古屋大学, 工学研究科, 教授 (90126904)
Keywords大電流 / 遮断 / パワー半導体 / 限流 / 低圧直流給電
Research Abstract

低圧直流による電力伝送は,近年多くの設備で利用されている。たとえば,直流システムは,電話通信ビルおよびインターネットデータセンターにおいて,さらには,需要家における太陽電池などの自家発電設備,2次電池などの電力貯蔵設備においても,実施されている。本研究の目的は,低圧直流システムについて,限流機能を具備したパワー半導体デバイス型遮断器の仕様を提示し,これらのシステムに適合できるパワー半導体デバイス型遮断器の仕様の提示と試作を目標とする。
昨年度においては,IGBT型固体遮断器の構成回路仕様を考案し,次いで試作器の形で実現した。今年度では,モデル直流システムにおいて,同試作器による直流電流の限流遮断実験を実施した。その結果,ゲート回路における回路定数を調整することによって,直流電流を所望の遮断時間にて遮断できることを実証した。さらに,高インダクタンスを含有したモデル直流システムにおいても,試作器が高インダクタンスによる逆起電力に打ち勝って,直流電流を遮断できることを示した。一方,別の半導体種としてサイリスタに着手し,サイリスタがオン制御型デバイスであることを配慮して,サイリスタ型固体遮断器の構成回路仕様を考案した.次いで,試作器を作成し,基礎的な電圧・電流レベルのもとで,同機器が,直流電流を転流,遮断できることを示した。

  • Research Products

    (4 results)

All 2011 2010

All Journal Article (1 results) Presentation (3 results)

  • [Journal Article] Fundamental Approach to Low-Voltage Direct-Current Interruption by Means of Solid-State Circuit Breaker Composed of IGBT2010

    • Author(s)
      Y.Yokomizu, T.Hayase, T.Matsumura.
    • Journal Title

      The Seventh International Workshop on High Voltage Engineering -IWHV 2010-(Kitakyushu)

  • [Presentation] IGBTを用いた低圧直流用固体遮断器の遮断時間2011

    • Author(s)
      横水康伸, 早瀬哲央, 松村年郎
    • Organizer
      平成23年電気学会全国大会講演論文集
    • Place of Presentation
      要旨集
    • Year and Date
      2011-03-05
  • [Presentation] IGBT型固体直流遮断器の遮断時間に関する検討2010

    • Author(s)
      横水康伸, 早瀬哲央, 松村年郎
    • Organizer
      平成22年度電気関係学会東海支部連合大会講演論文集
    • Place of Presentation
      中部大学(愛知県春日井市)
    • Year and Date
      2010-08-31
  • [Presentation] 限流機能付き固体遮断器による低圧直流遮断の基礎検討2010

    • Author(s)
      横水康伸, 早瀬哲央, 松村年郎
    • Organizer
      電気学会放電/静止器/開閉保護合同研究会資料
    • Place of Presentation
      東京都市大学,世田谷キャンパス(東京都世田谷市)
    • Year and Date
      2010-06-28

URL: 

Published: 2012-07-19  

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