2009 Fiscal Year Annual Research Report
大面積注入型無機薄膜エレクトロルミネッセンスデバイスに関する研究
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20560326
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| Research Institution | Tottori University |
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Principal Investigator |
市野 邦男 Tottori University, 工学研究科, 准教授 (90263483)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
大観 光徳 鳥取大学, 工学研究科, 准教授 (90243378)
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| Keywords | エレクトロルミネッセンス / ZnS / p型伝導 |
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| Research Abstract |
本研究は,平面型固体照明やディスプレイに応用可能な大面積発光デバイスを最終的な目標としており,従来の電界型ではなく,電流注入型の無機エレクトロルミネッセンス(EL)デバイスの実現を目指している.具体的には,高効率キャリア注入構造の実現,発光層の発光色・効率の向上,注入型ELデバイスの作製技術確立などを目的とする.以下,本年度の実績の概要を述べる.
1.キャリア注入構造の検討:ヘテロ接合-薄膜蛍光体層を発光層として応用し,これを多結晶n型ZnS層と異種p型半導体層とで上下から積層した形を目的としている.そのうち,多結晶n型ZnS層の特性が十分でないためその特性向上を図り,またp型材料の検討,さらにヘテロ接合形成の検討を行った.
2.キャリア注入構造の検討:pn接合-並行して,p型ZnSの実現によるZnS-pn接合の作製のため,昨年度に引き続き分子線エピタキシー法によるZnS単結晶エピタキシャル成長膜におけるp型化の研究を行った.昨年度までに,N添加ZnS単結晶薄膜の電気的特性において,初期的結果ながらp型化の傾向を確認している.今年度は,ZnS単結晶の分子線エピタキシャル成長において,窒素(N)ガスプラズマを用いたNアクセプタの添加に加え,さらに銀(Ag)を共添加することでそのp型特性の向上を図った.その結果,特定の作製条件下で,N,Ag共添加によりN単独添加の場合よりもp型特性が向上した.今後,さらなる作製条件の最適化により実用的なp型特性,pn接合作製,さらに多結晶化を目指す.
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Research Products
(4 results)
