2008 Fiscal Year Annual Research Report
多孔質シリコンマトリックス高密度垂直磁気記録媒体の全無電解プロセスによる作製
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20560676
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| Research Institution | University of Hyogo |
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Principal Investigator |
八重 真治 University of Hyogo, 大学院・工学研究科, 准教授 (00239716)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
松田 均 兵庫県立大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60118015)
福室 直樹 兵庫県立大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10347528)
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| Keywords | ポーラスシリコン / 金属ナノ粒子 / ナノホール / 無電解めっき / 金ナノ粒子 / 銀ナノ粒子 / ハードディスク / ウェットエッチング |
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| Research Abstract |
無電解置換析出により金属ナノ粒子をシリコン(Si)表面に高密度かつ均一に形成し、これをフッ化水素酸水溶液に浸す金属微粒子援用HFエッチングによりSi表面に垂直なナノ孔を高密度に形成し、無電解自己触媒めっきにより硬質磁性材料をナノ孔に充填することで、1TBit inch^<-2>以上の高密度垂直磁気記録媒体を作製することが本研究の目的である。この一連の工程をすべて無電解ウェットプロセスで行うことが最大の特長である。
本年度は、本研究の要素技術である1)無電解置換析出法によるSi上への高密度金属ナノ粒子形成、2)金属微粒子援用エッチングによる垂直ナノ孔形成、3)無電解めっきによるナノ孔内への硬質磁性体析出について、基本的な検討を行い10^<11>cm^<-2>以上の数密度で微細な硬質磁性体をSi表面層に形成することを試みた。結果の概要を以下に示す。
1)無電解自己触媒めっき反応に触媒能を有する金、銀、パラジウムの析出について、Siの前処理や金属イオン濃度などの実験条件と析出粒子数密度について詳しく検討し、金および銀で10^<11>個cm^<-2>の数密度(30nm間隔)を達成した。置換析出に関わる電極電位測定および、Siや金属の電流-電位特性測定に新たに購入した電気化学測定装置を活用した。
2)多孔質層の構造制御を目的に、エッチング条件を検討した。粒子が先導した浅い孔の形成には成功したが、より長い直線性の良い孔の形成には至らなかった。
3)多孔質Siに無電解めっきによって硬質磁性材料を充填することに成功した。孔の底に存在する金属ナノ粒子を起点として、金属ナノロッドが形成されていることを確認した。
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Research Products
(15 results)
