2009 Fiscal Year Annual Research Report
多孔質シリコンマトリックス高密度垂直磁気記録媒体の全無電解プロセスによる作製
| Project/Area Number |
20560676
|
|---|
| Research Institution | University of Hyogo |
|---|
Principal Investigator |
八重 真治 University of Hyogo, 大学院・工学研究科, 准教授 (00239716)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
松田 均 兵庫県立大学, 教授 (60118015)
福室 直樹 兵庫県立大学, 助教 (10347528)
|
|---|
| Keywords | ポーラスシリコン / 金属ナノ粒子 / ナノホール / 無電解めっき / 金ナノ粒子 / 銀ナノ粒子 / ハードディスク / ウェットエッチング |
|---|
| Research Abstract |
本研究の目的は、次の3ステップの無電解プロセスにより、高密度垂直磁気記録媒体を作製することである。1. 無電解置換析出により金属ナノ粒子をシリコン(Si)表面に高密度かつ均一に形成する。2. 金属微粒子援用HFエッチングによりSi表面に垂直なナノ孔を高密度に形成する。3. 無電解自己触媒めっきにより硬質磁性材料をナノ孔に充填する。一連の工程をすべて無電解ウェットプロセスで行うことが最大の特長である。昨年度の成果をふまえて、本年度は、1) 第2段階で形成されるSiナノ孔を基板に対して垂直にすることを試みるとともに、2) 本プロセスを利用してSi上に密着性の高い金属薄膜を形成する新たな展開を試みた。結果の概要を以下に示す。
1) 銀ナノ粒子をつけたp-Siを中心に様々な検討を行ったが、数百ナノメートルの深さにそろった直線的なナノ孔のみを形成する条件を見いだすには至らなかった。その中で、長時間HF水溶液に浸しても、エッチング速度が大きく変化することはなく、孔底に銀ナノ粒子を持っ長さ10マイクロメートルを超えるナノ孔が形成されることを見いだした。
2) 本研究のプロセスのうち、第3段階の自己触媒めっきによる金属充填を10分間程度と比較的に長時間行うと、Si表面に均一に金属薄膜が形成された。この膜の密着性は、従来法に比べると著しく高かった。Siナノ孔への金属充填によって形成された金属ナノロッドがアンカーとして働いているために高い密着性が得られることを明らかにした。パワーデバイスなどへ応用できるものと期待している。
|
Research Products
(15 results)
-
-
-
-
-
-
-
[Journal Article]2009
Author(s)
Shinji Yae
-
Journal Title
Ch.4, Porous Silicon Formation by Metal Particle Enhanced HF Etching, in Electroanalytical Chemistry Research Trends(Nova Science Publishers, Inc.)
Pages: 107-126
-
-
-
-
-
-
-
-
