2008 Fiscal Year Annual Research Report
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20656025
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Exploratory Research
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
江龍 修 Nagoya Institute of Technology, 工学研究科, 教授 (10223679)
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| Keywords | SiC単結晶刀具 / 単結晶成長 / ドーピング / 劈開性制御 |
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| Research Abstract |
本年度は刀具用にSiC単結晶の成長に成功し、試験切削を行うことが出来た。結果を示す。
1) 昇華法により、直径2インチまでの結晶成長に成功した。
2) 種結晶の面方位を変えて成長を行うことが出来た。基準となる(0001)面成長が最も早く、均質な結晶を得るためには種結晶の周囲にグラファイト製のガイドを設置し、一方向に優先的に成長させることが必要であることを見出した。
3) 切削時に生じる結晶の劈開を止めていくため、成長時にある種の元素を添加していった。その結果、添加する元素によって結晶の成長具合が異なること、成長結晶の硬度が異なること、劈開性を低下させることが出来ることを見出した。
4) 電気伝導度を変化させて結晶成長させることに成功した。しかし、完全に刃面を単結晶化させて電気的特性を表出させないと、電気的特性と加工特性との相関を明確にすることが出来ないことが解った。こで現在、曲面を有する単結晶刃先をCMP研磨仕上げする装置の作製に着手した。
5) 上述のように成長時に結晶硬度を変化させるドーピングを行うことに成功した。現在、成長後の結晶に結晶欠陥相への不純物拡散を実現するため、科学研究費補助金により購入した高温炉を用いたシステムの構築に着手している。
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