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2008 Fiscal Year Annual Research Report

低次元金属ナノ材料のアーキテクトニクスと赤外プラズモン

Research Project

Project/Area Number 20671002
Research InstitutionNational Institute for Materials Science

Principal Investigator

長尾 忠昭  National Institute for Materials Science, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA独立研究者 (40267456)

Keywordsプラズモン増強赤外吸収 / 低エネルギー赤外プラズモン / センサー材料 / ナノ構造制御 / 原子鎖 / EELS / 低次元金属材料
Research Abstract

本研究は、低次元金属材料中の低エネルギー(赤外)プラズモンについて、光・電子の両プローブ法を用いて計測し、原子スケール、ナノスケール物質の電磁応答特性を解明する。今年度は、貴金属原素、三族原素、ランタニド元素の3種類の異なった元素を用い、原子スケール金属鎖構造の研究を高波数分解EELS法を用いて系統的に進め、これらの系が金属的電子状態にある場合には、すべて低エネルギーの赤外プラズモンが生じることを明らかにした。これらの系の電子状態が金属から半導体に変化する際に、低エネルギーの赤外プラズモンの分散関係の一部あるいは、全部が消失することを明らかにした。また、原子スケール欠陥が赤外プラズモン励起に及ぼす影響についても研究を開始した。さらに、これら原子鎖構造の低エネルギー光学応答特性を計測するために、高感度な超高真空赤外吸収分光装置を組みあげ、試運転を行い再現性のあるデータを得ることに成功した。さらに、研究の対象を原子スケール構造物だけでなく、メゾスケールー金属構造物へと拡張し、溶液中のプラズモン増強赤外吸収材料の、その場ナノ構造制御と高性能化の研究を行った。水のOH振動と低エネルギー電子励起の混成モードのシグナルのスペクトル形状(Fano共鳴スペクトル)を利用して、高い増強性能を持つナノセンサー材料を再現性良く、簡便に製作する技術を確立した。増強の物理的メカニズムについてより精密に定量的に解明を進めるために、ナノ赤外センサー材料の分子レベル形成過程の成長反応モデルと作成した材料の結晶性と構造について詳細に研究を進めた。

  • Research Products

    (17 results)

All 2009 2008

All Journal Article (9 results) (of which Peer Reviewed: 8 results) Presentation (7 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] 表面増強赤外吸収センサー材料の高感度化技術2008

    • Author(s)
      長尾忠昭, D. Enders
    • Journal Title

      技術総合誌OHM HEADLINE Review 95巻6号

      Pages: 8-9

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Characterization of atomic-level plasmonic structures by low-energy EELS2008

    • Author(s)
      T. Nagao
    • Journal Title

      Surface and Interface Analysis 40

      Pages: 1764-1767

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Optically monitored wet-chamical preparation of SEIRA active nanostructures2008

    • Author(s)
      T. Nagao, D. Enders
    • Journal Title

      Surface and Interface Analysis 40

      Pages: 1681-1683

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Excitation of one-dimensional plasmons in Si and Au-Si complex atom wires2008

    • Author(s)
      C. Liu, T. Inaoka, S. Yaginuma, T. Nakayama, M. Aono, T. Nagao
    • Journal Title

      Nanotechnology 19

      Pages: 355204 1-5

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Experimental investigation of two-dimensional plasmons in a DySi2 monolayer on Si (111) (2008)2008

    • Author(s)
      E. P. Rugeramigabo, T. Nagao, H. Pfnuer
    • Journal Title

      Physical Review B78

      Pages: 155402 1-5

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Disappearance of the quasi-one-dimensional plasmon at the metal-insulator phase transition of indium atomic wires2008

    • Author(s)
      C. Liu, T. Inaoka, S. Yaginuma, T. Nakayama, M. Aono, T. Nagao
    • Journal Title

      Physical Review B77

      Pages: 205415 1-5

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Growth of atomically flat films and surface super structures of intrinsic liquid alloys2008

    • Author(s)
      T. Yamanaka, J.-L. Wang, T. Nagao, S. Yaginuma, C. Liu, A. V. Tupkalo, T. Sakurai
    • Journal Title

      Applied Physics Letters 92

      Pages: 143116-1-3

  • [Journal Article] Fluorine diffusion assisted by diffusing Si on the Si(111)-(7x7) surface2008

    • Author(s)
      Y. Fujikawa, S. Kuwano, K. S. Nakayama, T. Nagao, J. T. Sadowski, R. Z. Bahktizin, T. Sakurai, Y. Asari, J. Nara, T. Ohno
    • Journal Title

      The Journal of Chemical Physics 129

      Pages: 234710

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] 中身は半金属,表面は Rashba スピン分裂したメタルビスマス超薄膜のナノ物性-2008

    • Author(s)
      反尾忠昭
    • Journal Title

      固体物理 44

      Pages: 97-108

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Bistability in Bi {012} nanofilms2009

    • Author(s)
      Hiroki Kotaka, Fumiyuki Ishii, Mineo Saito, Yohei Takemori, Tomofumi Hashi, Tadaaki Nagao, Shin Yaginuma
    • Organizer
      The 5^<th> International Symposium on Surface Science ISSS-5
    • Place of Presentation
      早稲田大学,東京(発表予定)
    • Year and Date
      2009-11-10
  • [Presentation] Studies on gold atom-chains and lead nanowires on Si(557) vicinal surfaces2009

    • Author(s)
      Chung Vu Hoang, Markus Klevenz, Robert Lovrincic, Frank Neubrech, Olaf Skibbe, Annemarie Pucci, Mieczyslaw Jaloch owski, Tadaaki Nagao
    • Organizer
      APCTP-ASEAN Workshop on Advanced Materials Science and Nanotechnology (AMSN2008)
    • Place of Presentation
      Nha Trang, Vietnam(発表予定)
    • Year and Date
      2009-09-15
  • [Presentation] Atom-scale and mesoscale infrared plasmonic materials2009

    • Author(s)
      T. Nagao
    • Organizer
      36th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interface (招待講演)
    • Place of Presentation
      Hotel Mar Monte, Santa Barbara U.S.A
    • Year and Date
      2009-01-13
  • [Presentation] Atom-scale plasmonic materials : plasmons in ultimately tiny systems2008

    • Author(s)
      T. Nagao
    • Organizer
      RIKEN Symposium, The 7th International Symposium on Nanophotonics and Metamaterials (招待講演)
    • Place of Presentation
      理化学研究所,和光市,埼玉
    • Year and Date
      2008-11-07
  • [Presentation] Atom-Scale Plasmonic Wire,., July 28, 20082008

    • Author(s)
      T. Nagao
    • Organizer
      Gordon Research Conferences on Plasmonics (招待講演)
    • Place of Presentation
      Tilton School, Tilton New Hampshire, U.S.A
    • Year and Date
      2008-07-28
  • [Presentation] Optically monitored wet chemical preparation of plasmonic nanostructures for surface enhanced IR absorption spectroscopy2008

    • Author(s)
      D. Enders, T. Nagao
    • Organizer
      Gordon Research Conferences on Plasmonics
    • Place of Presentation
      Tilton School, Tilton NH U.S.A.
    • Year and Date
      2008-07-28
  • [Presentation] Atom-scale plasmonics : molding plasmons into atom chains and sheets2008

    • Author(s)
      T. Nagao
    • Organizer
      UltraFast 2008-Electron Dynamics and Electron Mediated phenomena at surfaces : femto-chemistry and atto-physics (招待講演)
    • Place of Presentation
      スペイン、サンセバスチャン、ドノスティア国際物理センター
    • Year and Date
      2008-05-07
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 表面増強吸収赤外センサーとその製造方法2008

    • Inventor(s)
      長尾忠昭, D. Enders, 中山知, 青野正和
    • Industrial Property Rights Holder
      物質・材料研究機構
    • Industrial Property Number
      特願2008-228904
    • Filing Date
      2008-09-05

URL: 

Published: 2010-06-11   Modified: 2016-04-21  

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