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2008 Fiscal Year Annual Research Report

プラズマVLS法によるハイスピードSiC溶液成長

Research Project

Project/Area Number 20686003
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

宇治原 徹  Nagoya University, 工学研究科, 准教授 (60312641)

Keywords半導体 / 結晶成長 / プラズマ
Research Abstract

本研究は、プラズマVLSバルク結晶成長法を開発し溶液成長の成長速度を向上させ、高品質SiC結晶の高速成長を実現することを目的とした。本年度は以下について実施した。
(1) 大気圧プラズマ生成装置を用いたプラズマガス供給VLS装置の開発:大気圧プラズマ装置は、すでに市販されるレベルにあるが、本研究ではこれを高温環境下で保持する必要がある。そのため、通常は、銅などが材料として用いられるが、本研究ではそれが困難である。そのため、グラファイトとマシナブルセラミックスを組み合わせたトーチを専用設計した。さらに、その制御に適した大気圧プラズマ発生用電源を導入した。
(2) 通常ガス供給による条件最適化:本研究ではカーボン原料をガス供給するが、プラズマ発生に先駆けて、通常ガスによる原料供給の最適条件の探索を行った。その結果、ガスの導入方法によって溶媒へのカーボン供給効率が大きく変化することを明らかにした。また、研究開始当初の実験においては、カーボン坩堝を用いて実験を行っていたために、その効果が明確ではなかったが、カーボン以外の坩堝を用いることによって、より効果を明確にすることができた。また、炭化水素ガス種の最適化も検討した。
(3) プラズマガス供給による過飽和度増加の確認と供給量制御:当初、プラズマによる炭素の高効率供給効果を確認する予定であったが、ガス供給が途中で行われなくなるという問題に直面し、その解決に集中した。その結果、本問題を解決し次年度へとつなげることとした。

  • Research Products

    (13 results)

All 2009 2008

All Journal Article (4 results) (of which Peer Reviewed: 4 results) Presentation (8 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] Stability Growth Condition for 3C-SiC Crystals by Solution Technique2009

    • Author(s)
      T.Ujiahra, R.Maekawa, R.Tanaka, K.Sasaki, K.Kuroda, Y.Takeda
    • Journal Title

      Mater.Sci.Forum 600-603

      Pages: 63-66

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Low temperature solution growth of 3C-SiC crystals in Si-Ge-Ti solvent2009

    • Author(s)
      R.Tanaka, T.Ujihara, Y.Takeda
    • Journal Title

      Mater.Sci.Forum 600-603

      Pages: 59-62

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Polytype and Crystal Quality of SiC Crystals Grown on 3C-SiC by Seeded Solution Method2009

    • Author(s)
      K.Seki, R.Tanaka, T.Ujihara, Y.Takeda
    • Journal Title

      Mater.Sci.Forum 615-617

      Pages: 27-30

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] High Temperature Solution Growth on Free-standing (001)3C-SiC Epilayers2009

    • Author(s)
      R.Tanaka, K.Seki, T.Ujihara, Y.Takeda
    • Journal Title

      Mater.Sci.Forum 615-617

      Pages: 27-30

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] 3C-SiC種結晶(001)面上への高品質3C-SiC低温溶液成長2008

    • Author(s)
      田中亮, 関和明, 宇治原徹, 竹田美和
    • Organizer
      第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会
    • Place of Presentation
      大田区産業プラザ、東京都
    • Year and Date
      20081208-20081209
  • [Presentation] 3C-SiC(111)面への溶液成長における多形変化と高密度積層欠陥の生成2008

    • Author(s)
      関和明、田中亮、宇治原徹、森本海、徳永智春、佐々木勝寛、黒田光太郎、竹田美和
    • Organizer
      第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会
    • Place of Presentation
      大田区産業プラザ、東京都
    • Year and Date
      20081208-20081209
  • [Presentation] VLS法によるSiC単結晶の成長2008

    • Author(s)
      小宮山聰、吉川和男、田中亮、関和明、宇治原徹
    • Organizer
      第17回(2008年)SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会
    • Place of Presentation
      大田区産業プラザ、東京都
    • Year and Date
      20081208-20081209
  • [Presentation] 3C-SiC上の溶液成長における結晶方位と結晶内欠陥の成長多形への影響2008

    • Author(s)
      関和明, 田中亮, 宇治原徹, 竹田美和
    • Organizer
      第38回結晶成長国内会議
    • Place of Presentation
      仙台市戦災復興記念館、宮城県
    • Year and Date
      20081104-20081106
  • [Presentation] Polytype transformation during solution growth on 3C-SiC seed crystals2008

    • Author(s)
      K. Seki, R. Tanaka, T. Ujihara, Y. Takeda
    • Organizer
      7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    • Place of Presentation
      Barcelona, Spain
    • Year and Date
      20080907-20080911
  • [Presentation] Solution growth on free-standing (001) 3C-SiC epilayers2008

    • Author(s)
      R. Tanaka, K. Seki, T. Ujihara, Y. Takeda
    • Organizer
      7th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
    • Place of Presentation
      Barcelona, Spain
    • Year and Date
      20080907-20080911
  • [Presentation] 3C-SiC種結晶上への溶液成長における多形変化2008

    • Author(s)
      関和明, 田中亮, 宇治原徹, 徳永智春, 佐々木勝寛, 黒田光太郎, 竹田美和
    • Organizer
      第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学、愛知県
    • Year and Date
      20080902-20080905
  • [Presentation] (001)3C-SiC自立基板上への溶液成長における多形変化2008

    • Author(s)
      田中亮, 関和明, 宇治原徹, 佐々木勝寛, 黒田光太郎, 竹田美和
    • Organizer
      第69回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      中部大学、愛知県
    • Year and Date
      20080902-20080905
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 炭化珪素単結晶の製造方法および該製造方法により得られる炭化珪素単結晶2008

    • Inventor(s)
      宇治原徹, 吉川和男, 小宮山聰
    • Industrial Property Rights Holder
      名古屋大学・東海カーボン
    • Industrial Property Number
      特願2008-262078
    • Filing Date
      2008-10-08

URL: 

Published: 2011-06-16   Modified: 2016-04-21  

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