2008 Fiscal Year Annual Research Report
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20710087
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
柳田 剛 Osaka University, 産業科学研究所, 助教 (50420419)
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| Keywords | 遷移金属酸化物 / ナノワイヤ / 界面構造制御 / VLS成長 / 金属触媒 / ヘテロ構造 / パルスレーザデポジション / 不揮発性メモリ効果 |
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| Research Abstract |
これまでに構造及び形状制御が確立されたMgOコアナノワイヤ上に、in-situで機能性遷移金属酸化物シェル層をレーザMBE法により堆積した。堆積過程における種々の条件(アブレーションフラックス、雰囲気温度、酸素分圧等)を適切に制御し、均一な高品質シェル層を達成した。シェル層酸化物材料群として、室温で不揮発性メモリ効果を有するルチル型-TiO_2岩塩型-NiO及びスピネル型γ-Fe_2O_3を用いて、岩塩型-MgOコアナノワイヤ上におけるシェル層結晶成長メカニズム及びその結晶形・格子定数の差異による影響をX線回折や高分解能透過電子顕微鏡観察により多角的に評価・解析した。
上記において作製されたコアシェルヘテロナノワイヤのマクロな電気輸送・磁気特性をマイクロ波電気伝導測定法及びSQUIDを用いて評価した。コアシェルヘテロ構造作製における種々の条件(雰囲気温度・酸素分圧等)が、ヘテロ界面における原子混合効果を介してマクロな電気・磁気物性に大きな影響を与えることを明らかにした。更にナノ電極架橋法によりナノ制限空間において不揮発性メモリ効果が発現することを明らかにした。
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