2010 Fiscal Year Self-evaluation Report

Magnetic property control of GaN dilute magnetic semiconductors

Research Project

Project/Area Number	20760013
Research Category	Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Allocation Type	Single-year Grants
Research Field	Applied materials science/Crystal engineering
Research Institution	Kyoto Institute of Technology
Principal Investigator	SONODA Saki Kyoto Institute of Technology, 工芸科学研究科, 准教授 (30397690)
Project Period (FY)	2008 – 2011
Keywords	スピンエレクトロニクス / MBE・エピタキシャル / 磁性 / 半導体物性 / 電子・電気材料
Research Abstract	Mn添加GaNは、室温で強磁性を示す新機能を持った半導体で、室温動作スピンエレクトロニクスデバイス材料として期待されており、Mnの価数制御によりその磁気特性をコントロールできることが本申請者によって初めて実験的に確認されたものである。本申請研究は、磁気特性の制御法の確立を目指し、Mnを含む3d遷移金属元素の価数混成状態を安定に発現させる共添加元素を見いだし、磁気特性を制御することを目的とする。