2008 Fiscal Year Annual Research Report
ファイバ伝搬光によるシリコンの次世代スライシング法の開発
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20760082
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
比田井 洋史 Tokyo Institute of Technology, 大学院・理工学研究科, 助教 (60313334)
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| Keywords | シリコン / スライシング / レーザ / 光アシストエッチング |
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| Research Abstract |
本研究では, レーザ光によるシリコンインゴットのスライシング法を開発する。現缶太陽電池用途の需要の高まりから, シリコンの価格が高騰しており, より材料を効率的に利用することが要求されている. シリコンはインゴットからワイヤソーでウエハに切断され, 利用されているが, 切断の際の切りしろが大きい, また力を加えて加工するため, シリコンが割れてしまうことからこれ以上の薄型化が困難であることが問題となっている. この問題に対し, 本研究では光ファイバによりレーザ光を加工点まで送り, エッチングを併用することで, より少ない切りしろでより薄いシリコンウエハをスライシングする手法を開発する. 具体的には(1)光ファイバ側面からレーザ光を漏出させるためのファイバ作製法の検討,(2)レーザ光によるエッチング,(3)加工機の設計・試作までを行う予定である. 本年度は(1)光ファイバ側面からレーザ光を漏出させるためのファイバ作製法の検討を行い, ファイバの側面からレーザ照射を行い, ダメージを導入することで, 光を漏出できることを確認した. また,(2)エッチャントとして水酸化カリウムとフッ化水素酸を取り上げ, 条件等を最適化した. 実際に使用できるファイバとエッチャントの組み合わせ, ファイバで伝送可能なレーザパワーなどを勘案すると, 水酸化カリウムに過酸化水素水を添加し, ガラスファイバを用いるのが加工速度の点で効率的だと明らかにした.
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