2009 Fiscal Year Annual Research Report
電気磁気効果と交換結合による電子スピン制御のための半導体電界効果素子構造の作製
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20760197
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| Research Institution | Nagoya Institute of Technology |
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Principal Investigator |
横田 壮司 Nagoya Institute of Technology, 工学研究科, 助教 (10402645)
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| Keywords | 電気磁気効果 / 磁気抵抗 / MISキャパシタ / スピントロニクス |
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| Research Abstract |
電界によって磁性を誘起できる電気磁気効果物質Cr_2O_3をゲート絶縁膜とし、強磁性体ナノドットを記憶層(F.G.層)とした電界効果素子構造(キャパシタ)の作製を目的として以下の研究を実施した。
1 磁場下での電気磁気MISキャパシタの誘電特製及びF.G.材料の違いによる電気特性
Cr_2O_3/(Cr_2O_<3-x>)強磁性体/CeO_2/Si構造において磁場中での電流-電圧(I-V)測定、容量-電圧(C-V)測定を行った。電界・磁界同時印加によりCr_2O_3の誘電率が20%増加することがわかった。また同時に注入過程のI-V測定の結果を解析したところ、見掛けの電子の有効質量が減少していることがわかり、トンネル確率も同時に上昇していることがわかった。これにより磁場印加に伴うキャパシタへの注入電荷増加が電気磁気効果による誘電率増加及びトンネル確率の上昇により発現することがわかった。
2 電気磁気MISキャパシタの記憶特性評価
Cr_2O_3/(Cr_2O_<3-x>)強磁性体/CeO_2/Si構造において記憶保持特性評価を行った。各磁場に対して記憶保持量が変化することを見出し、それぞれにおいて少なくとも1日程度の記憶保持することを確認した。また磁場によって多段階にその量を変調できることを明らかにした。
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Research Products
(16 results)
