• Search Research Projects
  • Search Researchers
  • How to Use
  1. Back to project page

2008 Fiscal Year Annual Research Report

アモルファス酸化物ナノ膜におけるパーコレーションイオン伝導のサイズ効果

Research Project

Project/Area Number 20760460
Research InstitutionHokkaido University

Principal Investigator

青木 芳尚  Hokkaido University, 大学院・工学研究科, 助教 (50360475)

Keywordsセラミックスプロトン伝導体 / 固体電解質薄膜 / アモルファス金属酸化物 / パーコレーション / サイズスケーリング / ゾル-ゲル / 中温作動型燃料電池
Research Abstract

α-M_nSi_<1-n>O_x薄膜の膜厚が100nm以下に減少すると、プロトン伝導率がべき乗則で増加する、いわゆるサイズスケーリング現象が発見された。α-M_nSi_<1-n>O_xは、低伝導マトリクスと高伝導パス(Bronsted酸点 : -O-Si^<4+>-O-^<m+>ヘテロ結合)からなる不均一構造を有している。この高伝導パスのつながり、いわゆる'クラスター'がプロトンチャンネルとして働く。膜厚dが最大クラスターのサイズより大きい場合(バルク状態)、伝導パスのパーコレーションは起こらない。dがζにほぼ等しくなると(臨界点)、伝導パスのパーコレーションが起こり、σは増加する。更にdが減少すると、より小さなクラスターもパーコレーションするためその数N_pはd^-μに従い増加し、こうしてσのスケーリングが起こる。本研究の結果は、アモルファスイオン伝導体にはバルク平均値より高いコンダクタンスの微細構造(伝導パス)が存在することを示唆しており、α-Al_<0.1>Si_<0.9>O_x薄膜の場合、伝導パスは平均長約20nmのアルミノシリカ鎖であることが示された。更にアモルファスリン酸ジルコニウムα-ZrP_3O_x薄膜は、このサイズスケーリング理論から予想される値よりも、はるかに大きな伝導率上昇を示した。この挙動は未知のパーコレーション的イオン伝導現象であり、その詳細解明は今後の課題である。本研究の結果は、アモルファス酸化物の分子組成などを変えることにより、さらに新しい伝導率増強効果が発見される可能性が示唆された。

  • Research Products

    (8 results)

All 2009 2008 Other

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (3 results) Remarks (1 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] Enhanced proton conductivity of amorphous silicate nanofilms2009

    • Author(s)
      Y. Aoki, H. Habazaki and T. Kunitake
    • Journal Title

      ECS Transactions (印刷中)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Ion-conducting, sub-100 nm-thick film of amorphous hafnium silicate2009

    • Author(s)
      Y. Aoki, H. Habazaki and T. Kunitake
    • Journal Title

      Solid State Ionics (印刷中)

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Thickness dependence of proton conductivity of amorphous aluminosilicate nanofilm2008

    • Author(s)
      Y. Aoki, H. Habazaki and T. Kunitake
    • Journal Title

      Electrochemical and Solid State Letters 11

      Pages: 11-13

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] アモルファスAl_nSi_<1-n>O_x薄膜におけるプロトン伝導率の膜厚依存性2008

    • Author(s)
      青木芳尚、幅崎浩樹、国武豊喜
    • Organizer
      第34回固体イオニクス討論会
    • Place of Presentation
      東京大学生産技術研究所、東京
    • Year and Date
      20081203-05
  • [Presentation] Enhanced proton conductivity of amorphous silicate nanofilms2008

    • Author(s)
      Y. Aoki, H. Habazaki and T. Kunitake
    • Organizer
      PRIM 214^<th> ECS meeting
    • Place of Presentation
      Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI, USA
    • Year and Date
      20081012-17
  • [Presentation] Ion-conducting, sub-100 nm-thick film of amorphous hafnium silicate2008

    • Author(s)
      Y. Aoki, H. Habazaki and T. Kunitake
    • Organizer
      14th International Conference on Solid State Proton Conductors
    • Place of Presentation
      Coop-Inn Kyoto, Kyoto, Japan
    • Year and Date
      20080907-11
  • [Remarks]

    • URL

      http://labs.eng.hokudai.ac.jp/labo/elechem/

  • [Patent(Industrial Property Rights)] プロトン伝導性膜およびその製造方法、電気化学セル2009

    • Inventor(s)
      幅崎浩樹、青木芳尚、ダミアンコバルスキー
    • Industrial Property Rights Holder
      国立大学法人北海道大学
    • Industrial Property Number
      特願2009-063776
    • Filing Date
      2009-03-17

URL: 

Published: 2010-06-11   Modified: 2016-04-21  

Information User Guide FAQ News Terms of Use Attribution of KAKENHI

Powered by NII kakenhi