2008 Fiscal Year Annual Research Report
三次元基板を用いた低温ポリシリコンTFTフラッシュメモリの研究
Project/Area Number |
20860086
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Research Institution | Kobe City College of Technology |
Principal Investigator |
市川 和典 Kobe City College of Technology, 電気工学科, 助教 (90509936)
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Keywords | 薄膜トランジスタ / フラッシュメモリ / Siナノドット |
Research Abstract |
平成20年度の目的は以下の通りである。 (1) 本学クリーンルーム内の酸化炉やマスクアライナーなどのTFT作製装置の使用方法の習得。 (2) 三次元基板を用いたTFTメモリに用いるフォトマスクの設計。 (3) TFT作製プロセスの最適化。 (4) 三次元基板を用いたTFTフラッシュメモリのプロトタイプの完成。 研究成果について (1) 本学のクリーンルーム内にあるTFT作製に必要な装置についての使用方法を習得することができた。また共同研究先のグリーンレーザーの使用方法についても習得できた。 (2) 本研究ではトランジスタのゲート大きさが重要となるため、さまざまな大きさのTFTメモリが作製できるよう工夫し、フォトマスク作製に成功した。 (3) エッチング液の選定、エッチング時間、イオン注入の条件などシミュレーションを含め、プロトタイプ完成に向けて条件を決定することができた。 (4) 入力特性、出力特性などの電気特性評価によりトランジスタ動作を確認し、プロトタイプを完成することができた。
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Research Products
(1 results)