NVセンター多量子ビット形成を目指したレーザー冷却イオン超精密単一注入技術の実現

2020 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 20H00145
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 14:Plasma science and related fields
• Research Institution: National Institutes for Quantum Science and Technology
• Principal Investigator: 斎藤 勇一 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先進ビーム利用施設部, 部長 (40360424)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 岡本 宏己 広島大学, 先進理工系科学研究科(先), 教授 (40211809) ; 伊藤 清一 広島大学, 先進理工系科学研究科(先), 助教 (70335719)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2024-03-31

Outline of Opinions Expressed in the Review Results

現有の先進的ビーム集束技術「加速レンズ技術」と実証実験に成功している「レーザー冷却イオンの射出・制御技術」を融合し、任意の位置に任意の個数の窒素イオンを照射する技術を開発する。イオン源からイオンを1個ずつ引き出し、高縮小率が得られる加速レンズ技術を駆使して、数nmの精度で照射位置を制御する技術を実現する。量子コンピュータへの応用が期待されるダイヤモンドの多量子ビット化を大きく前進させる研究である。
ダイヤモンドのNVカラーセンターは近年世界的に注目されている分野であり、本研究課題はNVセンターの形成をナノメートルスケールの精度で実現しようとするもので重要な課題である。多量子ビットデバイス製作の基礎技術の構築を目指すものであり、次世代の超高速量子素子開発のための基礎技術の確立の観点からも意義がある。