強誘電体分極ダイナミクスを利用した急峻スイッチトランジスタの基盤技術構築

2020 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 20H00240
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: Japan Advanced Institute of Science and Technology
• Principal Investigator: Tokumitsu Eisuke 北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授 (10197882)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 藤村 紀文 大阪公立大学, 大学院工学研究科, 教授 (50199361) ; 森田 行則 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長 (60358190) ; 太田 裕之 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長 (70356640) ; 右田 真司 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 総括研究主幹 (00358079)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2023-03-31

Outline of Opinions Expressed in the Review Results

急峻スイッチングが期待される強誘電体ゲートトランジスタにおいて、その原理が「負性容量」としてモデル化されていることに対し、必ずしもその物理が解明されている訳ではないことを指摘し、そのメカニズムを強誘電体の分極ダイナミックに基づいて明確にするとともに、急峻スイッチングトランジスタの学理と設計指針を提示することを目指した研究である。
分極メカニズムに関する学術的「問い」また研究目的が明確に示され、工学的意義も高い。強誘電体と半導体デバイス分野に関する3つのグループが集結し、新しいトランジスタ技術を構築するとしており、3つのグループが有機的に結合することで新しい成果の創出が期待できる。また研究目的が実現した際には関連分野における多大な貢献と大きなインパクトが見込まれる。