2020 Fiscal Year Comments on the Screening Results
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20H00246
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
Fujita Shizuo 京都大学, 工学研究科, 名誉教授 (20135536)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
尾沼 猛儀 工学院大学, 先進工学部, 教授 (10375420)
太田 優一 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター, 研究開発本部物理応用技術部電気技術グループ, 副主任研究員 (50707099)
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| Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| Outline of Opinions Expressed in the Review Results |
波長200nm以下の真空紫外線を発生できる半導体の研究で、MgZnOと(Al, Ga)203と量子構造を扱う研究。波長180nmに挑戦することを特徴としている。これまでの研究から、バンドギャップに対して発光波長が長いことに着目し、その詳細を明らかにすることで紫外線領域の開拓を進める。
国内外を通じて例のない真空紫外を発生する半導体の研究は、真空紫外発光半導体の光物性を究める必要があり学術的に意義深い。半導体で利用することにより発生紫外波長の制御も期待できる。水銀を使わない安全な紫外線源や、希ガスのいらないエキシマリソグラフィなどへの応用も期待される。
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