ワイドギャップ半導体におけるケミカルドーピングの学理構築と新材料開拓

2020 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 20H00302
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 26:Materials engineering and related fields
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: 大場 史康 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (90378795)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 野瀬 嘉太郎 京都大学, 工学研究科, 准教授 (00375106) ; 高橋 亮 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (80822311) ; 平松 秀典 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (80598136)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2025-03-31

Outline of Opinions Expressed in the Review Results

第一原理計算と機械学習に基づいて3次元構造を有する無機化合物半導体において、未開拓な異種元素の格子間挿入によるケミカルドーピングと複合欠陥クラスター化によるドーピング及び、その融合ドーピング手法の可能性を俯瞰的に考察し、有望物質を提案し実験グループによる材料創製へと展開する研究である。
計算科学に基づきワイドギャップ半導体のキャリアドーピングの学理を構築するという明確な学術的な問いを設定し、計算と実験を融合させた独自性と創造性に富んだ研究である。研究計画・方法は物性・ドーピングの予測基盤の構築から始まり実験による検証、有望物質の絞り込みと提案を経て学理の構築に至る周到なものであり、新奇な材料の開発が期待できる。