ワイドギャップ半導体MOS界面欠陥の正体の横断的解明

2020 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 20H00340
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 29:Applied condensed matter physics and related fields
• Research Institution: University of Tsukuba
• Principal Investigator: 藤ノ木 享英 (梅田享英) 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (10361354)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 牧野 俊晴 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 (20360258) ; 五十嵐 信行 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (40771100) ; 磯谷 順一 筑波大学, 数理物質系, 研究員 (60011756) ; 染谷 満 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (60783644) ; 松下 雄一郎 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 特任准教授 (90762336) ; 原田 信介 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 (20392649)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2025-03-31

Outline of Opinions Expressed in the Review Results

応募者らが開発してきた界面準位に敏感な電流検出型電子スピン共鳴(EDMR)分光と第一原理計算によって、次世代パワーエレクトロニクスのキーデバイスとなるワイドギャップ半導体MOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)の性能を阻害している欠陥に関する知見を得ることを目的としている。
界面の欠陥準位検出に敏感なEDMR計測と第一原理計算を組み合わせることで、デバイスの性能発揮を阻害してきた要因の解明が期待される。また、高性能デバイスの開発につなげようとする研究であり、その学術的意義は高い。