ScAlMgO4基板上へのInリッチInGaN系LEDの実現

2020 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 20H00351
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
• Research Institution: Kyoto University
• Principal Investigator: 川上 養一 京都大学, 工学研究科, 教授 (30214604)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 船戸 充 京都大学, 工学研究科, 准教授 (70240827) ; 石井 良太 京都大学, 工学研究科, 助教 (60737047)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2021-03-31

Outline of Opinions Expressed in the Review Results

緑色、赤色InGaN系LEDの高品質化を阻む要因である、GaNとの格子不整合に起因するピエゾ電界シュタルク効果や薄い臨界膜厚の問題を解決すべく、ScAlMgO4基板上にInGaNをエピタキシャル結晶成長する方法を開発し、緑色から赤色域において高効率で発光するInGaN系LEDの実現を目指した研究である。
基板とInGaN薄膜を格子整合させることにより、薄膜層の高品質化を試みる研究はエピタキシャル成長の王道であり、InGaNと格子整合するScAlMgO4を基板に用いる点に本研究の独創性がある。InGaN系LEDの長波長化を阻害しているグリーンギャップ問題の解決につながる可能性があり、社会的インパクトも高い。