2020 Fiscal Year Comments on the Screening Results
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20H00352
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
Mori Yusuke 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90252618)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
上殿 明良 筑波大学, 数理物質系, 教授 (20213374)
津坂 佳幸 兵庫県立大学, 理学研究科, 准教授 (20270473)
酒井 朗 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 教授 (20314031)
河村 貴宏 三重大学, 工学研究科, 助教 (80581511)
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| Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| Outline of Opinions Expressed in the Review Results |
電子・光デバイス材料として重要な位置づけにあるGaN系窒化物半導体に対し、応募者が近年開発した酸化ガリウムを原料とする気相成長技術（OVPE法）を用いて、高品質かつ安価な厚膜結晶の成長方法を確立するものである。さらにこの材料を用いたデバイスを視野に入れた研究も計画している。
OVPE法のライバルとなるHVPE法に対する優位性も明確であり、本研究により大口径のGaN結晶が実現すれば、応用面で極めて重要な位置づけとなる。
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