窒化ホウ素の科学のための高品位単結晶創製

2020 Fiscal Year Comments on the Screening Results

• Project/Area Number: 20H00354
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
• Research Institution: National Institute for Materials Science
• Principal Investigator: TANIGUCHI Takashi 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 拠点長 (80354413)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 町田 友樹 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (00376633) ; 山田 貴壽 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 材料・化学領域, 研究チーム長 (30306500) ; 小島 一信 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (30534250) ; 宮川 仁 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員 (40552667) ; 秩父 重英 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2023-03-31

Outline of Opinions Expressed in the Review Results

二次元原子層デバイス用基板やワイドギャップ半導体として、更なる発展が期待される六方晶窒化ホウ素（hBN）の超高純度化を目指した研究である。本研究は、BN材料の半導体化や特性改善における最重要課題である。この課題に対して応募者らが進めてきた溶液成長法における溶媒の改良により目標達成を目指す。
BNは半導体として広く応用が期待されている材料であり、良質な単結晶の作製が求められている。特に、半導体化のためにはBN結晶の高純度化に加えて、ドーパントの導入も重要な課題となる。本研究では、溶液成長法における溶媒の選定により高純度化を目指し、インターカレーションによるドーピングにより半導体化を目指す。いずれも学術的・応用的な波及効果が大きく、研究の意義が大きい。