2020 Fiscal Year Comments on the Screening Results

高温CVD法による高速SiCバルク結晶成長における転位低減機構解明と限界探求

Research Project

Project/Area Number	20H00356
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Allocation Type	Single-year Grants
Section	一般
Review Section	Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
Research Institution	Central Research Institute of Electric Power Industry
Principal Investigator	Tsuchida Hidekazu 一般財団法人電力中央研究所, エネルギートランスフォーメーション研究本部, 副研究参事 (60371639)
Project Period (FY)	2020-04-01 – 2023-03-31
Outline of Opinions Expressed in the Review Results	高温CVD法によるSiCバルク結晶成長において、放射光X線トポグラフィ等による転位評価と転位動力学シミュレーションにより、転位の運動・低減過程ならびにそのメカニズムを明らかにする。さらに、成長速度を高めた際の転位評価と応力解析により、高温CVD法における転位低減の限界を探求する。現在主流の昇華法よりも格段に成長速度の速い高温CVD法による低転位SiCバルク結晶成長の実現を目指しており、今後一層重要性が増すと考えられるパワーデバイス用SiCバルク結晶の生産性向上とコスト低減にブレークスルーを起こすことが期待される。