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2020 Fiscal Year Annual Research Report

原子レベルで酸素欠損制御したナノラミネート複合機能膜と巨大誘電率の発現メカニズム

Research Project

Project/Area Number 20H02189
Research InstitutionNational Institute for Materials Science

Principal Investigator

生田目 俊秀  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 技術開発・共用部門, グループリーダー (10551343)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 池田 直樹  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 技術開発・共用部門, 主任エンジニア (10415771)
大井 暁彦  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 技術開発・共用部門, 主任エンジニア (20370364)
塚越 一仁  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA主任研究者 (50322665)
Project Period (FY) 2020-04-01 – 2024-03-31
Keywords原子層堆積法 / ナノラミネート構造 / 複合酸化物 / 積層膜 / 酸素欠損 / キャパシタ / 電気特性 / 誘電率
Outline of Annual Research Achievements

今年度は、金属酸化物の候補材料の探索として、Al2O3/TiO2積層、(HfO2)m/(Al2O3)n、(HfO2)m/(SiO2)nのナノラミネート及びHfZrOx複合酸化物を選択した。原子層堆積法(ALD)を用いて、上記の積層、ナノラミネート及び複合酸化物を作製するために、先ず、Al2O3、TiO2、HfO2、SiO2及びHfZrOxのALD原料として、各々AL(CH3)3)(TMA)、Ti[(N(CH3)2)4(TDMAT)、Hf[(N(CH3)2)4](TDMAHf)、SiH[N(CH3)2]3(TDMAS)及び(Hf/Zr)[N(C2H5)(CH3)]4(TEM(Hf/Zr))を選択した。次に、ALDサイクル数を変えてSi基板上へ作製した複数の薄膜の膜厚とALDサイクル数の関係から、ALDサイクル当りの成長速度を求めた。この成長速度を基にして、積層、ナノラミネート及び複合酸化物の目的の膜厚を成膜した。
(HfO2)m/(SiO2)nナノラミネートのHf/Si比は、HfO2のALDサイクル数(m)とSiO2のALDサイクル数(n)を変える事で調整し、ここでは、Hf/Si=1/1, 2/1及び3/1と変えて作製した。この薄膜のTEM+EDS分析より、Hf/Si比と分析で得られたHf濃度は直線関係を満足していることが分かった。
HfZrOx複合酸化物では、Hf原料とZr原料のカクテル(Hf/Zr=1/1)をALD原料として用いて作製した薄膜のTEM+EDS分析より、Hf/Zr比が0.43/0.57であることが分かった。
Al2O3/TiO2積層では、本研究の最終目標の1つであるTiO2層の酸素欠損の移動について、Pt/Al2O3/TiO2/Ptキャパシタを作製して、TiO2層からの酸素の移動機構をバイアス電圧の印可方向を変える事で得られた抵抗変化から理解できた。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

1: Research has progressed more than it was originally planned.

Reason

本年度の最終目標である実験データを基に最適なナノラミネート構造の材料設計と作製へ繋げる点を達成できた。特に、(HfO2)m/(Al2O3)n、(HfO2)m/(SiO2)nのナノラミネートで、Hf/Al、Hf/Si比の組成制御を各々のALDサイクル数を変える事で容易に制御できることが分かった。また、単に、ナノラミネート構造の材料設計に留まらず、MIM及びMIS構造を作製して、その電気特性より、Al2O3/TiO2積層ではバイアス電圧の印可方向からTiO2層の酸素欠損の動きを議論できた。HfZrOx複合酸化物では、本研究の目的の誘電率に加えて、強誘電特性も評価できた。
以上より、ナノラミネート構造の材料設計と作製に加えて、MIM及びMIS構造の電子デバイスを安定して作製することができ、得られた電気特性から抵抗変化メモリ及び強誘電体メモリへのアプリケーションの展開へ繋がる糸口を見いだせた点は大きい。

Strategy for Future Research Activity

2020年度で構築したALDによる絶縁膜の作製、MIM構造及びMIS構造の電子デバイスの作製プロセス、初期バージョンの電気伝導システムを用いた評価検討を継続して進める。更に、絶縁膜の高誘電率化の観点から、現在、DRAMで検討されているZrO2/Al2O3/ZrO2の3層構造での特性理解を図ることで、新たなナノラミネート構造の材料設計へ繋げる。

  • Research Products

    (17 results)

All 2021 2020

All Journal Article (6 results) (of which Peer Reviewed: 6 results) Presentation (11 results) (of which Int'l Joint Research: 6 results,  Invited: 1 results)

  • [Journal Article] Interface characteristics of β-Ga2O3/Al2O3/Pt capacitors after postmetallization annealing2021

    • Author(s)
      Hirose Masafumi、Nabatame Toshihide、Irokawa Yoshihiro、Maeda Erika、Ohi Akihiko、Ikeda Naoki、Sang Liwen、Koide Yasuo、Kiyono Hajime
    • Journal Title

      Journal of Vacuum Science &Technology A

      Volume: 39 Pages: 012401~012401

    • DOI

      10.1116/6.0000626

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Comparison of characteristics of thin-film transistor with In2O3 and carbon-doped In2O3 channels by atomic layer deposition and post-metallization annealing in O32021

    • Author(s)
      Kobayashi Riku、Nabatame Toshihide、Onaya Takashi、Ohi Akihiko、Ikeda Naoki、Nagata Takahiro、Tsukagoshi Kazuhito、Ogura Atsushi
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 60 Pages: 030903~030903

    • DOI

      10.35848/1347-4065/abde54

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Correlation between ferroelectricity and ferroelectric orthorhombic phase of HfxZr1-xO2 thin films using synchrotron x-ray analysis2021

    • Author(s)
      Onaya Takashi、Nabatame Toshihide、Jung Yong Chan、Hernandez-Arriaga Heber、Mohan Jaidah、Kim Harrison Sejoon、Sawamoto Naomi、Nam Chang-Yong、Tsai Esther H. R.、Nagata Takahiro、Kim Jiyoung、Ogura Atsushi
    • Journal Title

      APL Materials

      Volume: 9 Pages: 031111~031111

    • DOI

      10.1063/5.0035848

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Influence of adsorbed oxygen concentration on characteristics of carbon-doped indium oxide thin-film transistors under bias stress2021

    • Author(s)
      Kobayashi Riku、Nabatame Toshihide、Onaya Takashi、Ohi Akihiko、Ikeda Naoki、Nagata Takahiro、Tsukagoshi Kazuhito、Ogura Atsushi
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 60 Pages: SCCM01~SCCM01

    • DOI

      10.35848/1347-4065/abe685

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Improvement of Ferroelectricity and Fatigue Property of Thicker HfxZr1-xO2/ZrO2 Bi-layer2020

    • Author(s)
      Onaya Takashi、Nabatame Toshihide、Inoue Mari、Jung Yong Chan、Hernandez-Arriaga Heber、Mohan Jaidah、Kim Harrison Sejoon、Sawamoto Naomi、Nagata Takahiro、Kim Jiyoung、Ogura Atsushi
    • Journal Title

      ECS Transactions

      Volume: 98 Pages: 63~70

    • DOI

      10.1149/09803.0063ecst

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Improvement in ferroelectricity and breakdown voltage of over 20-nm-thick HfxZr1-xO2/ZrO2 bilayer by atomic layer deposition2020

    • Author(s)
      Onaya Takashi、Nabatame Toshihide、Inoue Mari、Jung Yong Chan、Hernandez-Arriaga Heber、Mohan Jaidah、Kim Harrison Sejoon、Sawamoto Naomi、Nagata Takahiro、Kim Jiyoung、Ogura Atsushi
    • Journal Title

      Applied Physics Letters

      Volume: 117 Pages: 232902~232902

    • DOI

      10.1063/5.0029709

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Study on Ferroelectric Switching Properties and Fatigue Mechanism of Low-Temperature Fabricated HfxZr1-xO2 Thin Films using Pulse Measurement2021

    • Author(s)
      女屋 崇, 生田目 俊秀, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, 澤本 直美, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志
    • Organizer
      第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理- (EDIT26). 2021
  • [Presentation] Control of ferroelectric phase formation in HfxZr1-xO2 thin films using nano-ZrO2 nucleation layer technique2021

    • Author(s)
      Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura
    • Organizer
      MANA International Symposium 2021
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 放射光X線による低温形成したHfxZr1-xO2薄膜の直方晶相同定の検討2021

    • Author(s)
      女屋 崇, 生田目 俊秀, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, 澤本 直美, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志
    • Organizer
      第68回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Study of ALD HfO2-based high-k for GaN power devices and Ferroelectric devices2020

    • Author(s)
      Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Erika Maeda, Masashi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Koji Shiozaki, Yasuo Koide
    • Organizer
      20th International conference on Atomic Layer Deposition (ALD/ALE 2020)
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Air及びN2雰囲気のバイアスストレスによるアモルファスCarbon-doped In2O3TFTのトランジスタ特性2020

    • Author(s)
      小林 陸, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志
    • Organizer
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] GaNパワーデバイス用HfAlOx、HfSiOx、AlSiOx、Al2O3及びHfO2 絶縁膜の特性比較2020

    • Author(s)
      前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 橋詰保, 清野肇
    • Organizer
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] HfxZr1-xO2/ZrO2積層構造による強誘電体厚膜の強誘電性の向上2020

    • Author(s)
      女屋 崇, 生田目 俊秀, 井上 万里, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison S. Kim, 澤本 直美, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志
    • Organizer
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] Improvement of Ferroelectricity and Fatigue Property of Thicker HfxZr1-xO2/ZrO2 Bi-layer2020

    • Author(s)
      Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison S Kim, Naomi Sawamoto, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura
    • Organizer
      Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2020 (PRiME 2020)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Characteristic of flexible ReRAM with Al2O3/TiO2 active layer by ALD and PDA process at low temperature2020

    • Author(s)
      Toshihide Nabatame, Tomoji Oishi, Mari Inoue, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, Naoki Ikeda, Akihiko Ohi
    • Organizer
      Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2020 (PRiME 2020)
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] nfluence of Adsorbed O2 on The Gate-Bias Stress Stability of Back-Gate-Type TFT with Carbon-Doped In2O3 Channel2020

    • Author(s)
      Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takahsi Onaya, Akihiko Ohi,Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsusi Ogura
    • Organizer
      33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2020
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] Possibility of Above 20-nm-Thick HfxZr1-xO2/ZrO2 and HfxZr1-xO2/HfO2 Bilayers for High Polarization and Breakdown Voltage2020

    • Author(s)
      Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura
    • Organizer
      51th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2020
    • Int'l Joint Research

URL: 

Published: 2022-12-28  

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