2022 Fiscal Year Annual Research Report
単一Ｗ原子を磁性ドーパントとする単結晶Siスピングラスの創出と磁気特性の解明
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20H02560
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
岡田 直也 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (10717234)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
内田 紀行 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究グループ長 (60400636)
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| Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| Keywords | シリサイド / 磁性 / スピン / 遷移金属内包シリコンクラスター / 磁性半導体 / 遷移金属 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では、WSin膜の組成比nを、これまでの6－12（W原子濃度：~1022 /cm3）の制御範囲から、~6－105（W原子濃度：~1017－1022 /cm3）へと大幅にSiリッチ化して、磁性ドーパントとなるW原子を希薄化する。これには、WSin膜の形成技術を発展させた、クラスターエピタキシー法を利用する。今年度は、ボロンドープさせた極薄膜（膜厚<10nm）のSOIを作製し、その上にWSinのエピ成長させた。ここで、WSin膜のW濃度を制御することで、WSin膜のキャリア濃度制御を行い、SOI層とWSin層のPN接合形成を試みた。これらの膜のホール効果測定により電気的特性評価を行い、WSin膜中のW濃度に応じてキャリア濃度が変化する傾向を示した。さらに、W原子のみならず、Mo原子内包Siクラスターから構成されるMoSin薄膜の形成にも挑戦し、アモルファス薄膜の形成を実証した（MoSin、n<8）。
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| Research Progress Status |
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
令和4年度が最終年度であるため、記入しない。
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