2021 Fiscal Year Annual Research Report
Realizing of long lifetime perovskite solar cells driven in air atmosphere
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20H02838
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| Research Institution | Kanazawa University |
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Principal Investigator |
當摩 哲也 金沢大学, ナノマテリアル研究所, 教授 (20415699)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
SHAHIDUZZAMAN MD 金沢大学, ナノマテリアル研究所, 助教 (00822222)
宮寺 哲彦 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (30443039)
大平 圭介 北陸先端科学技術大学院大学, 先端科学技術研究科, 教授 (40396510)
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| Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2024-03-31
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| Keywords | ペロブスカイト太陽電池 / Cat-CVD / a-Si / 耐久性 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
ペロブスカイト太陽電池は25%を超える高い光電変換効率(PCE)と作製コストの低さにより次世代の太陽電池として期待されているが、耐久性が低いことが課題である。大きな原因は有機層のピンホールから侵入した水や酸素によってペロブスカイト結晶が分解することである。この問題を解決するには有機材料を大気安定性の高い無機材料に代替しピンホールのない膜にする必要がある。そこで本研究ではプラズマを発生させず製膜時の損傷が少ない触媒化学気相堆積法(以下Cat-CVD)を用いたa-Siの製膜を検討している。
本年度は，MAPbI3上にa-Siを製膜することができるか確かめるためにMAPbI3上にp-a-Siを製膜した。SEM観察により、MAPbI3上にa-Siの製膜が可能であることがわかった。しかし、それぞれの界面に注目すると、MAPbI3/p-a-SiにおいてMAPbI3の表面が削られていることを確認した。a-Si製膜時に発生する水素ラジカルによる損傷だと考えられる。水素ラジカルからMAPbI3を保護するために無機材料であるCsIを上に蒸着した膜を保護膜として用いる方法を検討した。MAPbI3膜においてH2やB2H6で処理したときにPbI2のピークが現れたことから特にp-a-Siの製膜はMAPbI3の分解が大きく難しいことがわかった。一方でCsIで保護した膜では処理後に新たなピークが見られなかったことから、水素ラジカルによる分解が抑えられたことがわかった。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
本年度は，MAPbI3上にa-Siを製膜することができるか確かめるためにMAPbI3上にp-a-Siを製膜した。SEM観察により、MAPbI3上にa-Siの製膜が可能であることがわかった。さらに，CsIインターカレーションによるペロブスカイト膜の高温耐久性化や，i-Siの導入などをおこなった。これらの成果をもとに，有機系HTL，ETLを使わずCat-CVDで製膜したa-Si系のHTL,ETLの導入の可能性が示唆されており，当初の課題を克服しつつある段階といえる。
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| Strategy for Future Research Activity |
今後の研究計画を示す。1. Cat-CVDで製膜したa-SiHTL,ETLの導入，2. その製膜による損傷の評価と対策，3. PSC太陽電池の耐久性向上の同定，を行う予定である
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