2020 Fiscal Year Research-status Report
将来の革新デバイスに向けたBi・Sn媒介GeSnナノドット形成技術の研究
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20K04557
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| Research Institution | Hirosaki University |
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Principal Investigator |
岡本 浩 弘前大学, 理工学研究科, 教授 (00513342)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
遠田 義晴 弘前大学, 理工学研究科, 准教授 (20232986)
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| Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2024-03-31
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| Keywords | 半導体ナノ構造 / ナノドット / 量子ドット / Ge / Bi / GeSn |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究は近年発展の著しいシリコンフォトニクス技術において未だ実現されていないⅣ族半導体による半導体レーザ、並びに将来の超低消費電力ロジック回路に向けた本質的な多値論理メモリ素子の実現に向け、申請者がこれまでに開発したBi媒介Geナノドット並びにSn媒介GeSnナノドットの作製技術を発展させるとともに高均一・精密配列技術を開拓すること、また、平行して媒介材料を介した低温ナノドット形成における結晶成長並びに界面の化学反応に関する学術的知見を得ることを目的としている。
令和２年度はナノドットの精密配列技術とナノドットフローティングゲートメモリの基本構造となるナノドットフローティングゲートキャパシタの作製技術の検討を比較的コントロールがしやすいGeナノドットを主に用いて行った。精密配列技術に関してはEBリソグラフィー技術を用いたリフトオフ技術の検討を進めたところ、基本的な整列形成は可能なものの、リフトオフ時における付着物の制御が課題となることが明らかになった。また、ナノドットフローティングゲートキャパシタの作製検討においては前年度課題となっていたコントロールゲート用絶縁膜の品質向上に目処をつけ、この製法を報告するとともにフローティングゲートへの電荷注入特性を測定することに成功した（未発表）。しかしながら製造プロセスの再現性に問題があることも確認され、今後の新たな課題となった。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
3: Progress in research has been slightly delayed.
Reason
前述の通り、ナノドットの精密配列技術についてはEBリソグラフィー技術において基本路線に問題はなさそうであるが、個々のプロセスにおいて要改善点が多く、明瞭な結果を示すまでには至っていない。また、ナノドットフローティングゲートキャパシタの作製検討においてはメモリ動作の基本となるフローティングゲートへの電荷注入特性の測定には成功したものの、コントロールゲート用絶縁膜の品質が安定しないため、客観的にわかりやすい結果を示すまでには至っていない。これらはコロナ禍の中、十分に実験が進められなかったことも要因となっており、「やや遅れている」という評価とした。
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| Strategy for Future Research Activity |
基本的には当初の計画に沿って研究を行うが、個々の課題が明らかになってきたため、基本に立ち返って問題の解決を図っていく。具体的にはナノドットの精密配列技術については、第一段階の検討に位置づけているリフトオフ技術について原料のデポジション量の最適化やリフトオフ技術の向上を図る。また、ナノドットフローティングゲートキャパシタの作製検討においてはコントロールゲート膜の品質を安定させる方策を探るとともに、ナノドットフローティングゲートの構造や作製プロセスについても向上を図る。
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| Causes of Carryover |
コロナ禍において、学会開催がすべてオンラインとなり、旅費の出費が0となった。また、実験の頻度が減ったため、物品費の支出も控えめとなった。
次年度は実験回数が増える予定であり、この差額は研究の実施において有効に活用する。
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