硼素イオン注入による絶縁性GaN結晶層を用いた超低損失パワー素子の高破壊耐量化

Products Report

• Project/Area Number: 20K04590
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• Principal Investigator: Miura Yoshinao 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (90828287)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 沈 旭強 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 上級主任研究員 (50272381) ; 中島 昭 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (60450657)
• Project Period (FY): 2020-04-01 – 2023-03-31

Research Products

• [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体装置および半導体装置の製造方法 (2023)
  • Inventor(s): 三浦喜直、中島昭、沈旭強、平井悠久、原田信介
  • Industrial Property Rights Holder: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
  • Industrial Property Rights Type: 特許
  • Industrial Property Number: 特願2023-515445