2022 Fiscal Year Research-status Report
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20K04635
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
浅井 栄大 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (00722290)
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| Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2024-03-31
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| Keywords | 半導体量子ビット / 半導体デバイスシミュレータ / 量子ビットシミュレータ / 量子コンピュータ |
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| Outline of Annual Research Achievements |
昨年度は、「単電子輸送現象」及び「1量子ビットゲート」に加えて「２量子ビットゲート」を扱うためのシミュレーション技術を開発し、QCADのプロトタイプを完成させた。
本年度は、まず１量子ビット構造、２量子ビット構造のそれぞれのシミュレーションをより簡便に行えるように、シミュレーションモジュールの整備を行った。シミュレーション速度の向上に向けて、半古典構造と量子ビット構造の量子自己無撞着計算の収束性向上に向けた検討や、デバイス構造の対称性に応じた計算構造の簡略化なども進めた。
また共同研究を行う実験グループが作成中の単一量子ビットデバイスとの比較に向けて、単一量子ビットをシミュレーションするための計算スクリプトのテンプレートを整備し、単電子輸送現象やラビ振動など測定結果合わせ込みに向けたシミュレーション体制を構築した。
さらに、実験的に報告されている半導体２量子ビット構造を模したデバイスについてシミュレーションを実施し、ゲート長及びゲート幅の寸法ばらつきがもたらす２量子ビットゲート操作エラーについて詳細に調べた。ゲート操作エラーの主要因が寸法変化によるビット間のトンネル結合の急激な変化である事を明らかにした。シミュレーション結果を詳細に解析する事で、ゲート幅及びゲート長ばらつきがもたらすトンネル結合の揺らぎを防ぐための新しいSOI基盤構造やゲート製造プロセスを見出し、論文発表及び特許出願を行った。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
ほぼ当初の予定通り、QCADのプロトタイプを完成させる事ができており、シミュレータの整備やシミュレータを用いた発展的な研究を進める事ができている。
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| Strategy for Future Research Activity |
実験グループによる測定準備が進んでいる量子ドットの単電子輸送特性の再現に向けたシミュレーションに取り組む。
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| Causes of Carryover |
コロナ下で成果発表に関して計画が遅れたため。
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