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2020 Fiscal Year Research-status Report

Epitaxial abrupt interfaces of multinary compound semiconductors

Research Project

Project/Area Number 20K05354
Research InstitutionNational Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Principal Investigator

西永 慈郎  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (90454058)

Project Period (FY) 2020-04-01 – 2024-03-31
Keywords多元系化合物半導体 / 結晶成長 / ヘテロ界面 / 分子線エピタキシー / 太陽電池
Outline of Annual Research Achievements

多元系化合物半導体は未知なる可能性を秘めた材料群であり、その積層構造による電子・光デバイスは、高機能化のみならず、製品の製造・使用過程における低環境負荷化を期待できる。しかしながら、多元系化合物の積層構造は、構成元素が形成時に熱拡散するため、急峻なヘテロ界面を得ることが非常に困難である。そこで、本研究の目的は急峻な多元系化合物半導体ヘテロ界面形成に関する学理を構築し、高効率な太陽電池の実現および量子効果デバイスへの応用を図ることである。初年度である2020年は薄膜太陽電池として実用されているCu(In,Ga)Se2(CIGS)に着目し、MBE法にてGaAs基板上に結晶成長させ、CIGS/GaAsヘテロ界面の急峻性を劣化させる要因について調査を行った。CIGSの結晶成長において、RHEED像がI族III族の組成比によって、変化することがわかった。この結果はCIGSの組成制御を“その場”に行うことができることを示しており、大変重要な結果といえる。MBE法は分子線供給比を精密に制御することができるため、再現性の高い結晶成長に成功した。I族richな条件下では、CIGS結晶中に異相(Cu2Se)が析出する。このCu2SeはGaAsと反応し、CIGSと砒化銅を形成することがわかった。砒化銅は金属であるため、CIGS/GaAsヘテロ界面において、電子正孔対の再結合中心として機能する。III族richな条件下では、基板温度が550℃であっても、急峻なCIGS/GaAsヘテロ界面が形成され、Cu、Na、SeがGaAs基板に拡散しないことがわかった。この結果は、I-III-VI2 / III-V 異種接合において、界面の反応を抑制できれば、理想的なヘテロ界面が得られることを示している。これらの研究成果は国際学会および国内学会にて発表を行った。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

2020年度の予定していた、CdS/CIGS、CIGS/GaAsヘテロ界面のSTEM測定およびSIMS測定を完了した。NaおよびCu、Seの拡散に関して、成膜温度よりも、Cu濃度の効果が大きいことがわかった。この結果より、多元系化合物の組成制御が大変重要であることがわかった。次に液相Cu2Seを利用したCIGS結晶成長のメカニズムに関する考察を行った。これらの研究成果は、研究計画通りの結果であり、おおむね順調に進展しているといえる。

Strategy for Future Research Activity

2021年度に購入を希望していた四重極質量分析計は予算の都合上、購入を断念した。そのため、Fluxモニターを用いる化合物組成制御に挑戦する。成膜中の元素組成制御を成長中断して行い、I/III族比の精密制御を行う。VI族分子線の供給量で、バルク内の再結合速度が高まることがわかった。MEE法による低温成長によって、VI族元素の再脱離を抑え、高効率太陽電池の実現を図る。

Causes of Carryover

依頼分析費として予算を計画していたが、効率的な測定によって試料数を減らすことができた。次年度使用額は試料作製に必要な液体窒素代として使用する予定である。

  • Research Products

    (11 results)

All 2020 Other

All Int'l Joint Research (2 results) Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (6 results) (of which Int'l Joint Research: 2 results,  Invited: 1 results)

  • [Int'l Joint Research] Helmholtz-Zentrum Berlin/RWTH Aachen University(ドイツ)

    • Country Name
      GERMANY
    • Counterpart Institution
      Helmholtz-Zentrum Berlin/RWTH Aachen University
  • [Int'l Joint Research] University du Luxembourg(ルクセンブルク)

    • Country Name
      LUXEMBOURG
    • Counterpart Institution
      University du Luxembourg
  • [Journal Article] Crystalline Characterisitics of Epitaxial Cu(In,Ga)Se2 Layers on GaAs (001) Substrates2020

    • Author(s)
      Nishinaga Jiro、Sugaya Takeyoshi
    • Journal Title

      Proceedings of 47th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)

      Volume: 2020 Pages: 2251-2257

    • DOI

      10.1109/PVSC45281.2020.9300962

  • [Journal Article] Efficient Narrow Band Gap Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells with Flat Surface2020

    • Author(s)
      Kamikawa Yukiko、Nishinaga Jiro、Shibata Hajime、Ishizuka Shogo
    • Journal Title

      ACS Applied Materials & Interfaces

      Volume: 12 Pages: 45485~45492

    • DOI

      10.1021/acsami.0c11203

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] A comparative study of the effects of light and heavy alkali-halide postdeposition treatment on CuGaSe2 and Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells2020

    • Author(s)
      Ishizuka Shogo、Taguchi Noboru、Nishinaga Jiro、Kamikawa Yukiko、Shibata Hajime
    • Journal Title

      Solar Energy

      Volume: 211 Pages: 1092~1101

    • DOI

      10.1016/j.solener.2020.10.048

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] High efficiency epitaxial CIGS solar cells grown on p-type GaAs substrates2020

    • Author(s)
      Jiro Nishinaga, Takeyoshi Sugaya
    • Organizer
      Virtual Chalcogenide PV Conference 2020
    • Int'l Joint Research
  • [Presentation] 多元系化合物半導体ヘテロ構造の結晶成長2020

    • Author(s)
      西永慈郎
    • Organizer
      第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • [Presentation] Ag添加によるCu(In,Ga)Se2太陽電池の高効率化2020

    • Author(s)
      西永慈郎、石塚尚吾、上川由紀子、鯉田崇、柴田肇
    • Organizer
      第81回応用物理学会秋季学術講演会
  • [Presentation] 多元系化合物半導体ヘテロ界面の結晶成長2020

    • Author(s)
      西永慈郎
    • Organizer
      第49回日本結晶成長国内会議
  • [Presentation] Crystalline and electrical properties of epitaxial Cu(In,Ga)Se2 layers on GaAs substrates2020

    • Author(s)
      Jiro Nishinaga, Takeyoshi Sugaya
    • Organizer
      2020 IEEE PVSE-47
    • Int'l Joint Research / Invited
  • [Presentation] Epitaxial Cu(In,Ga)Se2太陽電池のアルカリ金属添加効果2020

    • Author(s)
      西永慈郎、石塚尚吾
    • Organizer
      第68回応用物理学会春季学術講演会

URL: 

Published: 2021-12-27  

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