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2021 Fiscal Year Research-status Report

次世代パワー半導体β型酸化ガリウムの大面積転位検出分類法の開発

Research Project

Project/Area Number 20K05355
Research InstitutionJapan Fine Ceramics Center

Principal Investigator

姚 永昭  一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主任研究員 (80523935)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 石川 由加里  一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主席研究員 (60416196)
菅原 義弘  一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (70466291)
Project Period (FY) 2020-04-01 – 2023-03-31
KeywordsGa2O3 / 結晶欠陥 / X線トポグラフィー / 曲率半径 / 異常透過
Outline of Annual Research Achievements

本研究は、大きさ数インチのβ-Ga2O3単結晶基板またはエピタキシャル膜に適用可能な非破壊の転位検出・分類手法を開発し、β-Ga2O3に存在する全ての転位種類を明らかにすることを目的とする。
昨年度までは大面積にわたる転位の密度と面内分布を観測し、g・b解析(gは回折ベクトル、bは転位のバーガースベクトル)に基づき、転位を分類する放射光X線トポグラフィー観察法の開発を行った。今年度は、引き続き結晶性の評価と転位観察技術の開発に取り組んだ。
Ga2O3は単斜晶であるため、結晶の曲率半径(R)の異方性が顕著である。従来のXRD曲率半径評価では、特定な直径方向に沿いωロッキングカーブを取得するため、異方性の強い本来の結晶面湾曲の評価ができない。そこで、結晶面の湾曲を三次元的に可視化する手法を新たに確立した。イメージング方式を採用する「放射光光源用」手法およびスキャニング方式を採用する「実験室系XRD用」手法の2種類を開発し、特許出願(特願2021-148810)に至った。
また、転位評価技術に関しては、試料全面かつ試料全厚みの転位検出技術の開発に取り組んだ。Ga2O3は重い元素Gaにより構成されているため、X線の吸収が強い。従来の反射配置X線トポグラフィーでは、X線の侵入深さが小さく、イメージングするための入射X線が結晶内部に侵入できないため、転位の検出は表面に露出するものに止まっている。本研究では、X線の異常透過現象(動力学X線回折現象の一つ)を利用し、透過配置X線トポグラフィーの手法開発に注力し、0.7mmにも及ぶ厚い結晶(通常の市販基板の厚みは0.5~0.7mm)の内部に潜んでいる転位を鮮明にイメージングすることに成功した。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

1: Research has progressed more than it was originally planned.

Reason

今年度は、結晶性の評価と転位観察技術の開発に取り組んだ。
結晶性評価技術の開発では、結晶面湾曲の3D可視化手法を確立し、特許出願(特願2021-148810)に至った。
転位評価技術の開発では、試料全面かつ試料全厚みの転位検出技術の開発に成功した。本成果は米国物理学会APL Mater.に掲載され、Editor's pickに選出された。

Strategy for Future Research Activity

今年度に開発した異常透過XRT手法では、結晶構造により使用可能なg回折ベクトルが限定され、転位バーガースベクトルbを一義的に決めるために必要なgb解析の適用が困難である。今後は、複数のgベクトルが利用できるように、緩和した異常透過条件でXRT撮影する技術の確立に取り組む。

Causes of Carryover

コロナ感染症の影響で参加する予定の国際会議が中止、またはオンライン開催になったため、海外出張の旅費は支出されなかった。来年度には、XRT撮影装置の性能向上のため、一部の部品のアップグレードに使用する予定である。

  • Research Products

    (8 results)

All 2022 2021

All Journal Article (5 results) (of which Peer Reviewed: 5 results,  Open Access: 1 results) Presentation (2 results) (of which Invited: 1 results) Patent(Industrial Property Rights) (1 results)

  • [Journal Article] Three-dimensional curving of crystal planes in wide bandgap semiconductor wafers visualized using a laboratory X-ray diffractometer2022

    • Author(s)
      Yao Yongzhao、Sato Koji、Sugawara Yoshihiro、Okada Narihito、Tadatomo Kazuyuki、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Ishikawa Yukari
    • Journal Title

      Journal of Crystal Growth

      Volume: 583 Pages: 126558~126558

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2022.126558

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Etch pit formation on β-Ga2O3 by molten KOH+NaOH and hot H3PO4 and their correlation with dislocations2022

    • Author(s)
      Yao Yongzhao、Sugawara Yoshihiro、Sato Koji、Yokoe Daisaku、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Ishikawa Yukari
    • Journal Title

      Journal of Alloys and Compounds

      Volume: 910 Pages: 164788~164788

    • DOI

      10.1016/j.jallcom.2022.164788

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Observation of dislocations in thick β-Ga2O3 single-crystal substrates using Borrmann effect synchrotron X-ray topography2022

    • Author(s)
      Yao Yongzhao、Hirano Keiichi、Sugawara Yoshihiro、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Ishikawa Yukari
    • Journal Title

      APL Materials

      Volume: 10 Pages: 未定

    • DOI

      10.1063/5.0088701

    • Peer Reviewed / Open Access
  • [Journal Article] Visualization of the curving of crystal planes in β-Ga2O3 by X-ray topography2021

    • Author(s)
      Yao Yongzhao、Hirano Keiichi、Takahashi Yumiko、Sugawara Yoshihiro、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Ishikawa Yukari
    • Journal Title

      Journal of Crystal Growth

      Volume: 576 Pages: 126376~126376

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2021.126376

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Anisotropic radius of curvature of crystal planes in wide-bandgap semiconductor wafers measured by X-ray diffraction2021

    • Author(s)
      Yao Yongzhao、Sugawara Yoshihiro、Yokoe Daisaku、Hirano Keiichi、Okada Narihito、Tadatomo Kazuyuki、Sasaki Kohei、Kuramata Akito、Ishikawa Yukari
    • Journal Title

      Japanese Journal of Applied Physics

      Volume: 60 Pages: 128004~128004

    • DOI

      10.35848/1347-4065/ac3a20

    • Peer Reviewed
  • [Presentation] X線回折によるパワー半導体単結晶基板の結晶面湾曲の3D可視化2022

    • Author(s)
      姚永昭
    • Organizer
      第69回応用物理学会春季学術講演会
  • [Presentation] Evaluation of β-Ga2O3 substrates using X-ray diffraction, synchrotron X-ray topography, and etch pit method2021

    • Author(s)
      姚永昭
    • Organizer
      結晶加工と評価技術 第145委員会 第173回研究会
    • Invited
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 半導体基板の結晶面の形状評価方法および形状評価装置、ならびに、半導体基板の結晶面の形状評価を行うためのコンピュータプログラム2021

    • Inventor(s)
      姚永昭、石川由加里、菅原義弘
    • Industrial Property Rights Holder
      姚永昭、石川由加里、菅原義弘
    • Industrial Property Rights Type
      特許
    • Industrial Property Number
      特願2021-148810

URL: 

Published: 2022-12-28  

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