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2022 Fiscal Year Research-status Report

相変化光スイッチの相変化状態制御の理論解析と最適なデバイス構造・材料の探索

Research Project

Project/Area Number 20K05373
Research InstitutionIshikawa National College of Technology

Principal Investigator

佐野 陽之  石川工業高等専門学校, 一般教育科, 教授 (80250843)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 桑原 正史  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (60356954)
Project Period (FY) 2020-04-01 – 2024-03-31
Keywords相変化 / 光スイッチ / 物理シミュレーション / 第一原理計算
Outline of Annual Research Achievements

昨年度行ったシミュレーションから、GST層の過熱が不均一であるため、急冷中に再結晶化が顕著に発生し、光スイッチの消光比性能が劣化することが分かった。不均一加熱の原因を調べるため、GST加熱時の電流・電位分布を解析したところ、GSTの乗っていないITO(ヒーター層)領域の相対的な電気抵抗が大きくなり、その部分で発生するジュール熱が大きくなることが不均一加熱の原因であることが分かった。この結果をもとに、GST内の温度差を小さくするための検討を行い、「GST膜の乗っていないITO領域の膜厚を2倍にしたモデル構造」を提案した。このモデル構造のシミュレーションでは、GST内の温度差が約半分になり、冷却後の再結晶化が大きく減少する結果を得た。
波長1550nm付近の光吸収が非常に小さく、高速に相変化(変態)するMnTeは、光スイッチ用の有望な相変化材料であり、その物性と相変化メカニズムを明らかにすることを目的にMnTeの第一原理計算を進めた。αとβの2つのMnTe結晶相を対象に、計算手法(近似)としてGGA-UとHSE06を用い、構造最適化、状態密度分布(DOS)、エネルギーバンド図、光学誘電率の計算を行った。GGA-U近似を用いた場合、バンドギャップが実験値より30%程度小さくなったが、HSE06近似を用いた場合、バンドギャップは実験値とほぼ同じ値になった。
研究分担者は、様々な物性評価のためにMnTe薄膜の作成を行った。スパッタによって作成した直後のβ相試料は平滑で均一な膜となるが、α相形成のためにアニールすると、数10nmサイズのすき間が分布する膜となった。2つの層の密度が大きく異なり、βからαに相変化すると体積が大きく減少するためと考えられる。β相薄膜のエリプソメータ測定から得た屈折率は、第一原理計算で求めた結果と特徴が良く合っていることが分かった。

Current Status of Research Progress
Current Status of Research Progress

2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.

Reason

リアルなGST相変化を再現可能な「光スイッチの総合的なシミュレーションシステム」はほぼ完成した。試作デバイスをモデルとしたシミュレーションを実施し、不均一加熱によってアモルファス化過程において顕著な再結晶化が生じるという問題点を見つけ、その原因を明らかにすることが出来た。さらに、不均一加熱を抑制するための新しいデバイス構造の提案を行い、シミュレーションによって、光スイッチの消光比性能の劣化が抑制されることが確認できた。これによって、研究計画の最適デバイス構造の提案が概ね達成できたことになる。
光吸収の小さい相変化材料の探索に関しては、有望な相変化材料であるMnTeの第一原理計算を進め、2つの相(α相とβ相)に関する電子状態密度、エネルギーバンド図、光学誘電率の計算結果を得た。これらの結果は、MnTeの物性の理解、例えば光スイッチで利用する波長1550nmでの光吸収が小さい理由の解明につながる。また、α-β間の相変化(変態)のメカニズムの理解にとっても重要な知見となる。

Strategy for Future Research Activity

相変化光スイッチの最適なデバイス構造の探索のため、Si導波路、ITOヒーター層、GST層などの配置を変えたシミュレーションを実施する。その際、GST層内の温度分布(むら)に注目し、光スイッチのoff動作における「速やかな結晶化」とon動作における「アモルファス化過程での再結晶化の抑制」が両立するモデル構造の提案を行う。
光スイッチのための相変化材料として、光吸収が非常に小さいMnTeに関する第一原理計算を進める。実験データ(光学屈折率の測定データなど)との比較を行いながら、これまでの計算結果の解析・検討を行う。また、相変化(変態)の反応経路計算を行い、相変化(変態)のメカニズムについて検討する。これまでの実験的研究から、MnTe薄膜のα相-β相間の相変化(変態)には応力が大きく関わっていることが示唆されている。そのため、特に結晶かかる応力・ひずみについての観点から反応経路計算とその解析を実施する。

Causes of Carryover

(理由)
新型コロナ感染対策・対応のため、研究打ち合わせ及び成果発表のための出張の回数を控えたり、研究成果発表のための学術講演会がオンラインでの実施となり、旅費の支出が当初の計画より減少した。無理のない適正な研究計画の実行とそれに伴う予算執行を行ったため、約14万円を次年度に繰り越すことになった。
(使用計画)
次年度は、主にソフトウェアのメンテナンス費用と研究成果発表のための旅費として使用していく予定である。

  • Research Products

    (2 results)

All 2023 Other

All Presentation (1 results) Remarks (1 results)

  • [Presentation] 相変化材料を用いた光スイッチ動作のシミュレーション解析2023

    • Author(s)
      佐野陽之、桑原正史
    • Organizer
      応用物理学会
  • [Remarks] 国立高専研究情報ポータル

    • URL

      https://research.kosen-k.go.jp/plugin/rmaps/details/11/122/read0142223

URL: 

Published: 2023-12-25  

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