2022 Fiscal Year Research-status Report
バンド間遷移向上に向けた高不整合混晶の中間バンドエンジニアリング
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20K05682
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| Research Institution | The University of Electro-Communications |
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Principal Investigator |
宮下 直也 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 准教授 (20770788)
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| Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2024-03-31
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| Keywords | 希釈窒化物半導体 / III-V族化合物半導体 / 太陽電池 / マルチバンド材料 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究はマルチバンド材料であるGaInNAsに着目し中間バンドを介した2段階励起レート向上と再緩和抑制に向け検討を進めている。GaInNAsはInとNの添加量を制御することによってGaAs基板上への格子整合が可能な材料として知られているが、N組成の増加に伴い導入される結晶欠陥の抑制が課題となる。
本年度は、GaAs基板上の障壁層のエネルギーを増大させたAlGaAs/GaInNAs系多重量子井戸構造の検討を行った。試料は分子線エピタキシー法を用い作製し、10周期の量子井戸構造の試料について発光特性の評価を実施した。高分解X線回折測定により良好な周期構造の形成を確認した。参照用に障壁層をGaAsとした10周期GaAs/GaInNAs量子井戸試料も作製し、比較検討を行い、障壁層の差異による発光特性への影響について検討を深めた。また、活性層における2段階励起特性評価に向けたシステムの構築を行った。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
4: Progress in research has been delayed.
Reason
当該年度に研究代表者の所属が変更となり、研究実施場所の変更や、実験環境構築等が必要となったため、当初計画を変更した。なお当該年度が当初計画の最終年度であったが、補助事業期間延長の手続きを取らせて頂き承認頂いた。
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| Strategy for Future Research Activity |
当初予定していた、太陽電池構造の試作と2段階励起プロセスの評価に取り組む。また、2段階励起レート向上および再緩和抑制に向けGaInNAs系中間バンド構造の作製、検討を引き続き進める。
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| Causes of Carryover |
研究計画の変更が必要となったため。
試料作製のための原料、測定環境構築のための物品、消耗品の購入として使用予定。
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