2021 Fiscal Year Research-status Report
高エラーな不揮発メモリを用いた低消費電力ニューラルネットワークデバイスの提案
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20K12003
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
荒井 礼子 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (50431755)
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| Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| Keywords | 磁性メモリ / 書き込みエラー率 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
昨年度に引き続き、書き込みエラー率の分布形状に関する解析を行なった。分布の期待値や分散だけでなく、分布の歪みや裾の広がり具合の指標（歪度・尖度）も合わせて調べることにより、素子の動作条件と素子物性のばらつきの組み合わせで様々な形状の分布となり得ることがわかった。また、情報喪失エラーにおけるエラー分布を調べるための磁化ダイナミクスシミュレーションを実施した。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
2: Research has progressed on the whole more than it was originally planned.
Reason
エラー分布を解析および生成するための手順を明確にできたため。
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| Strategy for Future Research Activity |
磁化ダイナミクスシミュレーションから得られた情報をもとに、情報喪失エラーにおけるエラー分布を理論的に導出する。
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| Causes of Carryover |
新型コロナウイルス感染症対策で出張を控えたことにより旅費の使用がなかったため。
本年度は出張が可能な状況であれば学会参加等にかかる旅費として使用する。
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