2022 Fiscal Year Annual Research Report
高エラーな不揮発メモリを用いた低消費電力ニューラルネットワークデバイスの提案
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20K12003
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| Research Institution | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
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Principal Investigator |
荒井 礼子 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (50431755)
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| Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2023-03-31
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| Keywords | 磁気メモリ / 電圧駆動MRAM / 書き込みエラー / 保持エラー |
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| Outline of Annual Research Achievements |
エラー率の高いMRAMの利用を想定し、電圧駆動磁気メモリ（VC-MRAM）を対象に、書き込みエラーと保持エラーについて調べた。書き込みエラー率については昨年度までに作成した直ダイナミクスシミュレーションを用いて数値的に、保持エラーについては先行文献を参考に、磁場下における磁化反転の解析式を用いて調べた。これらから、書き込みエラー率と同程度のエラー率を保持できる特徴的な時間について議論した。また、書き込みエラー率が分布を持つ場合について、分布の広がり方（分散）がどのような影響を与えるのか調べた。
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