2022 Fiscal Year Annual Research Report
Realize of GeSn/Ge vertical nanowire and its application to next generation transitor
| Project/Area Number |
20K14796
|
|---|
| Research Institution | National Institute for Materials Science |
|---|
Principal Investigator |
松村 亮 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 研究員 (90806358)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2020-04-01 – 2023-03-31
|
| Keywords | 結晶成長 / 半導体 / 電子デバイス |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
次世代エレクトロニクス実現のため、Ge系結晶成長およびデバイス応用へ向けた周辺技術開発を行った。本研究では、非熱平衡な高速CWレーザーアニール法を開発し、高身長歪を印加した、高活性化率のn型Ge薄膜の成長を石英基板上で実現した。
さらに、フォトルミネッセンス法や光吸収測定を用いてバンド構造解析を行ったところ、発光効率の増大を確認したとともに、歪印加やドーピングによるバンドギャップ変調も実証された。この成果は、目的とする電子デバイスの高移動度チャネル材料としての応用が期待できるとともに、実現した材料が発受光デバイスの光学材料としても応用が期待できることを示しており、幅広い分野へ波及する技術であると言える。
一方デバイス周辺技術として、原子層堆積（ALD）法を用いてAl2O3膜の高耐熱化を実現する手法を開発した。これらの成果は目標とする次世代エレクトロニクスの実現のみならず、光電融合LSIや様々な多機能デバイスへの応用が可能な基盤技術となる。
以上の成果は、応用物理学会や固体素子カンファレンス（SSDM）等の著名な学会で発表するとともに、ＡＣＳ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＆ ＩｎｔｅｒｆａｃｅやＭａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ｉｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓなどのハイインパクト誌で発表することができた。今後はこれらの技術をもとに、高移動度トランジスタや光電融合LSIなどへの応用を目指す。
|
