2021 Fiscal Year Annual Research Report
酸化物半導体の低温固相成長制御による高性能フレキシブルデバイスの創出
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20K22415
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| Research Institution | Shimane University |
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Principal Investigator |
曲 勇作 島根大学, 学術研究院理工学系, 助教 (20874887)
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| Project Period (FY) |
2020-09-11 – 2022-03-31
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| Keywords | 酸化物半導体 / 薄膜トランジスタ / 固相結晶化 / 水素化 / 高移動度 / 低温プロセス / フレキシブルデバイス / 電子デバイス |
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| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では低温で固相結晶化した水素化多結晶酸化インジウム（In2O3:H）薄膜の金属から半導体への転移に成功し、酸化物半導体薄膜トランジスタ（TFT）にて多結晶シリコンを凌ぐ、世界最高の電界効果移動度139.2 cm2V-1s-1を実現した。具体的には、水素濃度を制御した多結晶 In2O3:H 膜において、格子像が確認できる優れた結晶性を低温（～300℃）で実現しつつ、金属的伝導から半導体伝導にキャリア濃度を約3桁制御する手法を見いだし、高移動度酸化物半導体デバイス応用の可能性を拓いた。また、In2O3:Hは透明かつ低温合成可能であり、次世代ディスプレイや半導体メモリーの高性能・低電力化に加え、透明フレキシブルデバイスなどへの発展が期待できる。
一連の研究成果は、国際学会2件（招待講演）、国内学会5件（うち2件招待講演）、受賞2件、「Nature Communications」を含む英語査読論文2本の掲載に繋げた。
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Research Products
(14 results)
