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2011 Fiscal Year Annual Research Report

生体機能に学ぶナノ材料応用と生体機能模倣デバイスの創出

Research Project

Project/Area Number 21200060
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

神吉 輝夫  大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (40448014)

Keywords新機能電子材料 / 酸化物エレクトロニクス / 生体機能工学
Research Abstract

当初の研究計画では、人工的に複数のVO_2コンパレータを並べマルチネットワーク型確率共鳴素子を構築する予定であったが、初年度・前年度の概究で、閾値電圧を超えた時に発生する金属相が数マイクロメートルサイズの幅をもつマルチパスとして自然形成されていることが分かり、単一VO_2薄膜がマルチネットワーク型の確率共鳴特性を示すことが分かってきた。この結果は、人工的にVO_2コンパレータを並べることなく入出力信号相関比が大きくなることを意味しており、非常に有難い特性である。本年度は、これらの成果を踏まえて、応用をめざした。研究実施内容は、(1)VO_2コンパレータの周波数特性を調べるとともに、ノイズの色による確率共鳴特性の変化をシミュレーションした。また、(2)ノイズ源となりうるVO_2の発振現象について調べた。(1)について、10hz~1KHzのサイン波を入れVO_2の非線形電気応答コンパレータ動作を確認した。音声信号へ適応するには、可視聴帯の高周波領域20kHzにまで動作する必要がある。また、確率共鳴でのノイズの色は、入出力相関比を左右させる重要な要素であるため、ノイズの色を変えた場合の相関比変化を計算シミュレーションした。その結果、1/fノイズを用いた場合、大きなノイズ下でも高い相関比が保たれ、確率共鳴特性が向上することが分かった。(2)について、DCバイアスによりVO_2薄膜の金属-絶縁体転移が交互に繰り返される発振現象を起こすには、VO_2試料に適切な付加抵抗を直列配列する必要があり、付加抵抗値は、発振規象の効率(=発信の振幅幅/DCバイアス電圧値)に関わる重要なパラメータである。このことから、高効率で動作する付加抵抗値の範囲を詳細に調べた。結果として、最適な付加抵抗値により、30%以上の効率でVO_2が発振することを確認し、ノイズ源として有効であること示した。

  • Research Products

    (7 results)

All 2011 Other

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (3 results) Remarks (1 results)

  • [Journal Article] Identifing valence band structure of transient phase in VO2 thin film by hard x-ray photoemission2011

    • Author(s)
      T.Kanki
    • Journal Title

      Physicai Review B

      Volume: 84 Pages: 085107(5)

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.84.085107

    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] ノイズを利用した新概念情報伝達電子材料の創出2011

    • Author(s)
      神吉輝夫
    • Journal Title

      大阪大学低温センターだより

      Volume: 155 Pages: 5-9

  • [Journal Article] Establishment of processes for nanoscale functional oxides2011

    • Author(s)
      Hidekazu Tanaka
    • Journal Title

      Nanotech Japan Bulletin

      Volume: 4 Pages: No.12

  • [Presentation] Identifying valence band structure of M2 phase from mixed phases in VO2 thin film2011

    • Author(s)
      T.Kanki
    • Organizer
      2011 MRS Fall meeting
    • Place of Presentation
      Boston (USA)
    • Year and Date
      2011-11-28
  • [Presentation] Valence band structure of transient M2 phase in VO2 thin film2011

    • Author(s)
      T.Kanki
    • Organizer
      7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
    • Place of Presentation
      大阪大学(大阪)
    • Year and Date
      2011-11-11
  • [Presentation] Valence band structure of transient M2 phase in VO2 thin film2011

    • Author(s)
      H.Takami
    • Organizer
      The 19th Annual International Conference on Composites or Nano Engineering (ICCE-19)
    • Place of Presentation
      Shanghai (China)(招待講演)
    • Year and Date
      2011-07-28
  • [Remarks]

    • URL

      http://www.sanken.osaka-u.ac.jp/labs/bis/

URL: 

Published: 2013-06-26  

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