2009 Fiscal Year Annual Research Report
無機エレクトライドの領域開拓:物質探索、機能設計、応用展開
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21226015
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
細野 秀雄 Tokyo Institute of Technology, フロンティア研究センター, 教授 (30157028)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
平山 博之 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 教授 (60271582)
川路 均 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 (10214644)
林 克郎 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 (90397034)
金 聖雄 東京工業大学, フロンティア研究センター, 特任准教授 (30504526)
松石 聡 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 助教 (30452006)
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| Keywords | 機能性セラミックス / エレクトライド / アモルファス物質 / 電子化物 / アルミナ |
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| Research Abstract |
本年度はC12A7エレクトラドおよびその関連物質のエレクトライドの合成、物性、およびデバイスへの応用を検討した。得られた成果は以下のようにまとめられる。
(1)電子濃度を2x10^<21>cm^<-3>までドープしたエレクトラド粉末がC12A7+CA+金属Caというプロセスで合成することができた。
(2)C12A7エレクトライド単結晶の熱起電力と熱伝導度を測定し、後者はアモルファス様なT2依存性を示し、その値はCaOやAl2O3結晶よりも桁で低いことを見出しいた。
(3)27Al-NMRのKnightシフトとT-1の温度依存性から、非架橋酸素に結合したAlサイトは金属的性格を、それ以外のサイトは絶縁体的挙動を示すことを見出した。
(4)C12A7エレクトライドをカソードとし、Cu_<2-x>Seをアノードとする逆構造型のOLEDを試作し、従来のAl/ITOの電極よりも顕著に低電圧で駆動することを明らかにした。
(5)C12A7および12SrO・7Al_2O_3エレクトライドのエピタキシャル薄膜を合成することに成功した。
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