2009 Fiscal Year Annual Research Report
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21310085
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
木村 康男 Tohoku University, 電気通信研究所, 助教 (40312673)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
平野 愛弓 東北大学, 医工学研究科, 准教授 (80339241)
庭野 道夫 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (20134075)
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| Keywords | 自己組織化 / 量子ドット / 単電子 / 室温動作 / 陽極酸化 / ポーラスアルミナ / 酸化チタンナノチューブ |
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| Research Abstract |
分子デバイスやナノデバイスのような新しいデバイスを集積化するためのプロセス技術の開発が急務となっている。ナノデバイスの集積化のためには、決められた位置にナノ構造体を作製する必要がある。そのためには、位置制御を得意とするトップダウンプロセスと自己組織的にナノ構造を作製するボトムアッププロセスとを組み合わせた新しい微細加工技術の開発が欠かせない。本研究は、ボトムアッププロセスとしての固液界面反応場を利用したバルブメタルの陽極酸化過程とフォトリソグラフィ技術とを融合させ、任意の位置にナノ構造を自己組織的に作製できるセルフアラインナノ加工技術を開発することを目標とする。この目標を達成するために本年度は、Alマイクロ電極作製プロセスを確立し、ゲート、ソース及びトレイン電極を同時に形成するためのT字型Alマイクロワイヤにおけるナノドットの形成過程を調べた。その結果、ナノドット形成過程は、それぞれの電極の幅及び陽極酸化領域を制限するためのマスクの形状に大きく依存することがわかった。また、ゲート電極を付加したT字型マイクロワイヤの陽極酸化の過程は、ゲート電極の無い場合と異なるため、最適なAlマクロワイヤの厚さが異なる可能性がある。これらの結果は、T字型電極でのAlナノドット形成過程は、フォトリングラフィによるマクロレベルの制御によって制御できることを示しており、今後の更なるAlナノドット形成過程の解明により、Alの局所陽極酸化を制御できると考えられる。
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